Siegfried Wirsum
SMDs in der Hobbyelektronik Ein SMD-Baubuch und Halbleiterskript
SMDs in der Hobbyelektronik Ein SMD-Baubuch und Halbleiterskript Praktische Grundlagen der manuellen Anwendung der Oberflächen-Montagetechnik • Bauteile Leiterplattenentwurf • Handlötung Entwürfe und Aufbau von mit SMDs bestückten Elektronik-Minibausteinen Technische Kurzdaten von SMD-Halbleitern mit Bauformen, Code-Aufschlüsselung, Anschlußbelegungen und Vergleiche mit konventionellen Transistoren.
Wichtiger Hinweis Die in diesem Buch aufgezeigten Schaltungen, Verfahren und Entwürfe werden ohne Rücksicht auf die Patentlage oder mögliche Schutzrechte dritter mitgeteilt und dienen ausschließlich Hobbyelektronik-und Lehrzwecken. Sie dürfen nicht gewerblich benutzt werden. Hierzu bedarf es der Genehmigung durch den möglichen Lizenzinhaber. Die jeweils gültigen postalischen Vorschriften und Sicherheitsbestimmungen sind zu beachten. Alle Unterlagen, Schaltungen, Zeichnungen wurden zwar sorgfältig bearbeitet und zusammengestellt. Trotzdem können technische Änderungen und Fehler nicht ausgeschlossen werden. Die angegebenen technischen Daten dienen allein der Produktbeschreibung und sind nicht als zugesicherte Eigenschaften im Rechtssinne aufzufassen. Das Buch gibt keine Auskunft über Liefermöglichkeiten. Es kann daher weder eine juristische Verantwortung oder irgendeine Haftung gleich aus welchem Rechtsgrund übernommen werden. Für die Mitteilung eventueller Fehler, Ergänzungsoder Verbesserungsvorschläge ist der Autor und Herausgeber immer dankbar. Nachdruck, Vervielfältigung und Wiedergabe in irgendeiner Form auch auszugsweise nur mit Genehmigung des Herausgebers. Alle Rechte vorbehalten.
> m © 1989
Autor und Herausgeber;" c| Q Siegfried Wirsum, 8011 ^drn^ding, Herzog-Stephan-Weg 23 Gesamtherstellung: Drucköpei Bommer GmbH
Umschlag: Obere Bilder: Minimoduln mit SMDs bestückt (Entwürfe des Autors) Unteres Bild: Miniaturgehäuse SOT-23 (Werkbild Valvo)
Vorwort und Gebrauchshinweise Der fortschreitende Umstieg der Elektronik-Industrie von der herkömmlichen Einsteckmontage bei Leiterplatten zur automatisierten Oberflächenmontage hat auch Auswirkungen auf die ElektronikHobbypraxis. Das „klassische Bauelement" mit Drahtanschlüssen wird immer mehr durch neue SMD-Produkte ersetzt, so daß sich der fortschrittliche Elektroniker mit dieser Technik laufend beschäftigen muß. Für den Hobbyelektroniker liegt der Reiz des Neuen nicht nur in der Bewältigung dieser neuen Montagetechnik, sondern auch in der Ausnutzung der Vorteile der SMD-Miniaturbauelemente, welche neue kreative Möglichkeiten für den Anwender eröffnen, kurz eine neue Qualität der Hobbyelektronik ermöglichen. Das SMD-Arbeitsbuch ist daher auf den praktischen Einstieg in die SMD-Technik für Einzelanfertigungen und manuelle Bestückung abgestimmt und beinhaltet die drei wichtigsten Themenkreise, nämlich 1. Kennenlernen der SMD-Bauteile und Montagetechnik 2. Praktische Anwendungen 3. SMD-Halbleiter-Arbeitshilfe Die Anwendungsbeispiele mit Leiterplatten-Entwürfen sind zum Kennenlernen der Vorteile der SMD-Technik in der Schaltungs- und Aufbaupraxis. Zur Erleichterung des Einstiegs und bei Beschaffungsschwierigkeiten können die kompletten Bausätze nach Stückliste beim Elektronik-Fachhandel wie auch beim Herausgeber selbst bezogen werden. Die SMD-Halbleiter-Arbeitshilfe möchte dem Praktiker nicht nur bei der Identifizierung von häufig verwendeten SMD-Halbleitern helfen, Anschlußbelegungen aufzeigen, Vergleiche mit konventionellen Halbleitern herstellen, sondern darüber hinaus anhand von technischen Kurzdaten auf ihre Anwendungsmöglichkeiten hinweisen. Sie kann jedoch nicht sehr umfangreiche Datenbücher für Konstrukteure und Geräteentwickler der professionellen Elektronik ersetzen, sondern ist für den Praktiker bestimmt, der mehr wissen möchte als nur Identifizierung oder Vergleich. Der Autor hofft, mit diesem „SMD-Dreidecker" den erforderlichen Background in Sachen SMD-Nutzanwendungen in der Hobby-Elektronik und vielleicht noch mehr geben zu können. Siegfried Wirsum
Inhalt l
Kennenlernen der SMD-Bauteile und Montagetechnik . . . .
Oberflächen-Montagetechnik . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Die wesentlichen Vorteile der SMD-Technik . . . . . . . . . Grenzen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SMD-Kurzbrevier . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . SMD-Bauformen und Maßbilder . . . . . . . . . . . . . . . . SMD-Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Chip-Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Melf-Widerstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Trimmwiderstände . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.7 SMD-Kondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Keramik-Vielschichtkondensatoren . . . . . . . . . . . . . Folienkondensatoren . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Tantalelkos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Alu-Elkos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.8 Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen . . . . . 1.9 Weitere SMD-Bauteile . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.10 Kennzeichnung der oberflächenmontierbaren Bauteile . . 1.11 Leiterplattenentwurf für manuelle Bestückung . . . . . . . . 1.12 Handlötung von SMD-Bauelementen . . . . . . . . . . . . . . 1.13 Aufbau, Bestückung und Kontrolle . . . . . . . . . . . . . . .
7 8 9 9 11 19 19 19 20 20 20 20 20 20 21 21 22 27 28 31
2
Praktische Anwendungen (SMD-Entwürfe) . . . . . . . . . . .
33
1.1 1.2 1.3 1.4 1.5 1.6
2.1 2.2 2.3
Zweistufiger SMD-Vorverstärker mit Einzeltransistoren (SW 100 V) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Audio-Vorverstärker mit linearer oder nichtlinearer Ver stärkung mit SMD-IC (SW 108 VLE) . . . . . . . . . . . . . . Monauraler Audio-Endverstärker von 30 mW - 0,5 Watt (SW 106 E) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
2.4 Mikro-Stereoverstärker (SW 107 St) . . . . . . . . . . . . . . 2.5 SMD-Präzisions-Meßgleichrichter für NF-Anwendungen (SW 101 G) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.6 Astabiler Multivibrator für Vielzweckanwendungen (SW 103 M) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3
SMD-Halbleiter-Arbeitshilfe . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
3.1 Allgemeine Erläuterungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 SMD-Dioden . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 SMD-Einzeltransistoren und FETs . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Optoelektronische SMD-Bauelemente . . . . . . . . . . . . . 3.5 Häufig verwendete integrierte SMD-Schaltungen . . . . . . 3.6 Anschlußbelegungen . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Literaturhinweise . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
7
33 36 39
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45 48 51
51 52 66 81 82 84 88
1 Kennenlernen der SMD-Bauteile und Montagetechnik 1.1 Oberflächen-Montagetechnik Mit SMDs (Surface Mounted Devices) werden oberflächenmontierbare elektronische und elektromechanische Bauelemente bezeichnet. Im Gegensatz zur herkömmlichen Leiterplatten-Einsteckmontage mit bedrahteten Bauelementen, bei der die Bauteileanschlüsse von der Bestückungsseite her durch die Bohrungen gesteckt und auf der Leiterbahnseite gelötet werden, ist bei der Oberflächenmontage Bestük-kungs- und Lötseite gleich. Dabei werden die SMDs mit ihren drahtlosen, flachen Anschlußflächen direkt mit den Leiterbahnen verlötet. SMDs können daher auf beiden Seiten einer Leiterplatte bestückt werden. Bohrungen werden praktisch nur zum Durchkontaktieren benötigt, wenn man von Mischbestückungen absieht.
Fernbedienung mit Infrarotlicht in SMD-TechniJc (Siemens-PressebildJ
Oberflächenmontaqe 1.2 Die wesentlichen Vorteile der SMD-Technik Miniaturisierung Daher sehr geringer Raum und Platzbedarf bei geringem Gewicht. Das bedeutet: Mehr Elektronik auf kleinstem Raum, hohe Packungsdichte. Realisierung von Elektronik-Baugruppen in Mini-Moduln und Geräten in Flachbautechnik. Wirtschaftlichkeit Wegfall der Biege- und Schneidarbeiten bei Anschlußdrähten, automationsgerechtere Bauteile für Automaten mit hohen Bestückungsleistungen und Bestückungssicherheit bei der industriellen Fertigung. Geringer Lager-Raumbedarf, geringe Transportkosten. Ersparnis an Leiterplattenmaterial. Zuverlässigkeit und verbesserte Eigenschaften SMDs werden nach dem letzten Stand des Know how gefertigt und haben daher meistens verbesserte mechanische und elektrische Eigenschaften. Auf Grund ihrer Kleinheit und Ausführung ohne Anschlußdrähte sind bessere HF-Eigenschaften durch kürzere SignalLaufzeiten, geringere parasitäre Kapazitäten und Induktivitäten erreichbar.
1.3 Grenzen Wärmeprobleme bei sehr hohen Packungsdichten und Verlustleistungen sowie die bei der Miniaturisierung zu berücksichtigenden Min-destLeiterbahnabstände bei hohen Betriebsspannungen. Berücksichtigung von verschiedenen Ausdehnungskoeffizienten.
1.4 SMD-Kurzbrevier SMD
Surface Mounted Devices = oberflächenmontierbare Bauelemente
SMT
Surface Mounted Technology = Technik der Oberflächenmontage
SMA
Surface Mounted Assembly = Technologie der Oberflächenmontage
SMC
Surface Mounted Component = oberflächenmontierbares Bauelement
SMP
Surface Mounted Package = Oberflächen-Gehäusetechnik
SO
Small Outline = Gehäuse mit 4 - 2 8 Anschlüssen
SOD
Small Outline Diode = Diode für die Oberflächenmontage
SOT
Small Outline Transistor = Gehäuse für Einzel-Transistor für die Oberflächenmontage
SOP
Small Outline Package = Gehäuse
SOIC
Small Outline Integrated Circuit = Gehäuse für integrierte Schaltung für die Oberflächenmontage mit ca. 40 Anschlüssen (Raster 0,76 mm)
VSO
Very Small Outline = Gehäuse mit 40 Anschlüssen für die Oberflächenmontage
QFP
Quad Fiat Pack = Gehäuse mit 64 - 164 Anschlüssen für die Oberflächenmontage Raster 0,6 - bis 1,27 mm
TA B CG
Tape Automated Bonding = Spezialgehäuse für Sonderausführungen (bis 144 Anschlüsse) Chip Carrier = integrierte Schaltungen im Gehäuse mit max. 124 Anschlüssen (Raster 1,27 mm)
MELF
Metal Electrode Face Bonding = zylinderförmiges Gehäuse für Bauelemente der Oberflächenmontage (z. B. Dioden, Widerstände)
MINIMELF = zylindrisches Gehäuse für Bauelemente der Oberflächenmontage (Dioden, Widerstände, siehe Bauformen) MIKROMELF = besonders kleines zylindrisches Gehäuse für Bauelemente der Oberflächenmontage PLCC
Plastic Leaded Chip Carrier (bis 68 Anschlüsse) = Plastikgehäuse für ICs für die Oberflächenmontage
LCCC
Leadless Ceramic Chip Carrier = Keramikgehäuse für ICs für die Oberflächenmontage
SO-N
Small Outline Narrow = SO-Gehäuse, schmale Ausführung
SO-W
Small Outline Width = SO-Gehäuse, breite Ausführung
SO-I
Small Outline J-Leaded = SO-Gehäuse mit Anschlüssen in J-Form
CLCC
Ceramic Leaded Chip Carrier = Keramikgehäuse für ICs mit Anschlüssen in J-Form
EIA
= Electronic Industry of America
EIAJ
= Electronic Industry Association of Japan
fedec
10
= Joint Electronic Device Engineering Council (Festlegung von Bauformen, Anschlußbelegungen etc. des EIA)
1.5 SMD-Bauformen und Maßbilder Baugrößenbezeichnung 0805 1206 1210 1808 1812 2220
Abmessungen 2,0 x 1,25mm (lEC-Norm) z.B. Vio W-Widerstände 3,2 x 1,6 mm (lEC-Norm) z.B. V8 W-Widerstände 3,2 x 2,5 mm (lEC-Norm) 4,5 x 2 mm (lEC-Norm) 4,5 x 3,2 mm (lEC-Norm) 5,7 x 5 mm (lEC-Norm)
Hauptanwendung: Passive SMD-Bauteile, quaderförmig
Gehäuse Zylindrisch MELF 5,9 x 2,2 0 mm MINIMELF 3,6 x 1,4 0 mm MIKROMELF 2,0 x 1,27 0 mm SOD-80 3,5 x 1,6 0 mm
Abb. Seite 18 Abb. Seite 14
Hauptanwendung: Dioden und passive SMD-Bauteile
SMD-Halbleiter-Gehäusemaßbilder SOT-23 SOT-89
3,0
x 1,3
x 1,5 x 1,3 x4
SOT-143
4,5
SOT-192
3,0
SOT-223
4,5
SO-6
6.3-6.7X 3,3-3,7
SO-8 (SOT-96A) SO-16 (SOT-109A)
3,9 X 4 - 6,2 8,8 5-5,2 x 4 - 6,2 10
SO-8L
8
SO-14 (SOT-108A)
SO-16L (SOT-162A) 7,6 SO-20L (SOT-163A) 13 SO-24L (SOT-137A) 15,6 SO-28L (SOT-136A) 18,1 VSO-40 (SOT-158A) 15,5
SO-4 ... 28 Raster 1,27mm VSO Raster 0,76mm
mm (LxB) DIN 23 A3 JedecTO-236 Abb. S. 13 u. 14 mm Jedec TO-243 Abb. S. 13 u. 14 mm DIN 23 A 3 Abb. S. 13 u. 14 mm
mm mm mm x 4 - 6,2 x 4 -mm 6,2 mm x 7,6 x 10,510,65 mm x mm 7,610,65 mm x 7,610,65 mm x 7,610,65 mm x 7,612,8 mm
Abb. S. 16
Abb. S. 16 Abb. S. 16 Abb. S. 16 Abb. S. 15 Abb. S. 15 Abb. S. 15 Abb. S. 15 Abb. S. 15 IEC = genormt Jedec = Normvorschlag 11
SMD-Bauelemente und Bauformen mit MiJcropacJc (WerJcsfoto Siemens AG, Bereich BaueJementeJ
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13
14
15
16
17
18
SMD-Widerstände auf GurtroJle (Werkbild VaJvoJ
1.6 SMD-Widerstände Die Nennbelastbarkeit bei SMD-Widerständen beträgt meistens 0,25 W bei einer Umgebungstemperatur von 70°. Mit zunehmender Temperatur nimmt die Belastbarkeit ab (Derating-Kurve). Chip-Widerstände Chip-Widerstände bestehen aus einer Widerstandsschicht, die nach einem Siebdruckverfahren auf ein rechteckförmiges Keramiksubstrat eingebrannt wird. Diese besitzen lötfähige metallisierte Kontaktflächen. Die Widerstandsbahn ist durch eine Glasur gegen Umwelteinflüsse geschützt. Melf-Widerstände Die zylinderförmigen Melf-Widerstände bestehen aus einem zylindrischen Keramikkörper mit aufgedampfter Widerstandsbahn und lötfähigen Kontaktierungskappen. Der Widerstandsabgleich erfolgt durch einen Laser (Wendelung der Widerstandsschicht). Die Widerstandsschicht ist ebenfalls durch eine Schutzlackschicht geschützt. 19
Trimmwiderstände Diese gibt es in verschiedenen mechanischen Ausführungen mit unterschiedlich angeordneten Anschlußkontakten. Der Drehbereich beträgt 270°, sie sind meistens mit 0,2 W belastbar. Widerstandsbereich 100 Q - l MQ.
1.7 SMD-Kondensatoren Keramik- Vielschichtkondensatoren Keramik-Vielschicht-Kondensatoren in Chipform decken den Bereich von ca. 0,5 pF ~ l jiF ab. Ihre Spannungsfestigkeit liegt meistens bei 50 V. Diese bestehen aus dünnen Keramikschichten, zwischen denen sich der metallisierte Edelmetallbelag befindet. Diese sind an der Vorderseite durch eine Lötflächenmetallisierung verbunden. Die metallischen Endkontakte sind lötfähig. Die Baugrößen richten sich nach der Kapazität und Spannung, wobei die Baugrößen 0805 - 1206 - 1210 1808 - 1812 - 2220 infrage kommen. Für Hobby-ElektronikAnwendungen haben sich besonders die Bauformen 0805 und 1206 der qua-derförmigen Chip-Bauelemente bewährt, die mit ChipWiderständen baugleich sind. Das erleichtert das Lay-outen. SMD-Folienkondensatoren SMD-Folienkondensatoren (MKT von Siemens) bestehen aus Polyester als Dielektrikum mit aufgedampftem Metall als Kondensatorbelag und sind mit einem flammenresistenten Kunststoff umspritzt. Zu den Vorteilen zählen ihre Selbstregenerierung an den Durchschlagstellen, hohe Kapazitätskonstanz, geringer Verlustfaktor. Folienkondensatoren gibt es in einem Kapazitätsbereich von 0,01 -1 |iF mit Betriebsspannungen von 50 V. Gehäusegrößen von ca. 4,9 - 9,4 mm mit Breiten von 4,5 - 8 mm. Tantalelkos Tantal-Elektrolytkondensatoren in Chipform gibt es von ca. 0,1 uF bis 100 [iF. Die Nennspannungen liegen zwischen 4... 63 V. Sie haben eine hohe Kapazität bei geringem Volumen. Dieser besteht aus einem quaderförmigen Anodenkörper (Tantalanode), der von einer dielektrischen Schicht umhüllt und mit lötfähigen Anschlüssen versehen ist. Der gesamte Kondensatoraufbau ist mit einem Schutzlack überzogen. Bei Tantal-Elektrolytkondensatoren ist zu beachten, daß der Ladewiderstand von ca. 3 - 4 Q/V nicht unterschritten wird. Aluminium-Elkos Aluminium-Elektrolytkondensatoren sind in dem Kapazitätsbereich von ca. 0,1 |iF - 47 jiF erhältlich. Der Nennspannungsbereich beträgt
20
6,3 ... 63 V. Ihre Bauformen sind meistens größer wie bei kapazitätsgleichen Tantalelkos und häufig noch nicht genormt. Alu-Elektrolytkondensatoren bestehen aus einem Anoden-Katodenfolienwickel, welcher von einem Elektrolyten getränkt und in einem Alumniniumbecher eingeschoben ist.
1.8 Dioden, Transistoren und integrierte Schaltungen Dioden haben meistens die Bauform SOD-80 (Small Outline Diode). LEDs gibt es in den Baugrößen SOD-80 und SOT-23. Die Bauformen SOT-23, SOT-89, SOT-143 findet man vor allem bei Einzeltransistoren (Verlustleistungen bei SOT-23 und SOT-143 Gehäusen ca. 100 - 400 mW, bei SOT-89 ca. 500 - 1000 mW). Bei den integrierten Schaltungen sind die Vorteile der SMD-Technik, was den Platzbedarf betrifft, besonders deutlich erkennbar. Mit den Small-Outline (SO)-Bauformen - im Vergleich mit DIL-ICs - kann der erforderliche Platzbedarf erheblich reduziert werden, teilweise bis zu 25 - 30%. Das ist auf die kleineren Gehäuseausführungen mit geringeren Pin-Abständen und stummeiförmigen Anschlüssen zurückzuführen. Dabei verbessern sich die elektrischen Eigenschaften durch kürzere Leitungsführungen. Integrierte Schaltungen im SMD-Gehäuse haben fast Dieselben Kristalle wie integrierte Schaltungen im großen Standard-Gehäuse. Die Typenbezeichnung ist identisch und hat zusätzlich eine Nachbezeichnung, welche Aufschluß auf die Gehäuseausführung gibt. Eine abgeschrägte Kante dient zur Identifizierung von Pin 1. Größere Gehäuse haben zusätzlich an der Vorderseite eine Aussparung, wie man es bei den konventionellen DIL-Gehäusen gewöhnt ist oder einen weißen Markierungsstrich. Es gibt grundsätzlich zwei Anschlußformen, nämlich nach außen gebogene Anschlüsse („Gull Wing Pin" = Anschluß in Form eines Möwenflügels) und nach innen gebogene Anschlüsse QForm). Die Anschlußform wie auch die Anzahl der Anschlüsse bestimmen die Gehäuseform.
1.9 Weitere SMD-Bauelemente Die innovative Auswirkung der SMD-Technik auf weitere elektrische und elektromechanische Bauelemente ist sehr stark. So gibt es bereits Quarze, Chip-Induktivitäten, Heiß- und Kaltleiterchips, SMD-Schalter aller Art sowie SMD-Trafos, Übertrager und Steckverbinder. Bei mechanisch und elektrisch zugleich stark beanspruchten Bauelementen ist die Entscheidung zu treffen, ob diese in SMDAusführung realisierbar sind oder eine Mischbestückung zu bevorzugen ist. 21
Dual-in-Iine-Schalter sind bei Siemens jetzt auch in SMD-Technik in 4-, 5-, 8und lOteiliger Ausführung verfügbar. Die Vorteile dieser Technologie kommen damit voll zum Tragen. (Siemens-Pressebild)
1.10 Kennzeichnung der oberflächenmontierbaren Bauteile Die Kennzeichnung der SMDs in der bisherigen Form ist wegen ihrer Kleinheit häufig nur in codierter Form möglich. Über die Kennung bei Halbleitern gibt die HalbleiterZusammenstellung Auskunft. Die Stempelung erfolgt hier mit einem typspezifischen Code aus Zahlen und Buchstaben, wobei bei gleicher Codierung eine Abweichung der angegebenen technischen Daten von Hersteller zu Hersteller möglich ist. Bei den rechteck- und quaderförmigen Chip-Baugrößen (z. B. Bauform 1206 und 0805) werden die Werte meistens in Kurzform nach der Zwei-, Drei- oder Vierzeichencodierung angegeben. Als Besonderheit gibt es als „Layout-Hilfe" den rechteckförmigen Null-Ohmwiderstand (Jumper = Brücke). 22
Kennzeichnung der Chip-Widerstände
Zur optimalen Nutzung der Vorteile der platzsparenden Aufbautechnik haben die oberflächenmontierbaren Bauteile (SMDs) stark miniaturisierte Gehäuse-Bauformen mit teilweise speziellen Anschlußbelegungen, und die Beschriftung kann wegen ihrer Winzigkeit meist nur in Buchstaben- oder Zahlen-Codes aufgedruckt werden. Toleranz
Wertebereic Beschriftungsc Hinweise und Beispiele h ode (Aufdruck) 0 Ohm (Jumper, Brücke) 1,0 Q- 9,1 Q
000 XRY
X = I.Ziffer Y = 2. Ziffer (Wertigkeit) z. B. 1RO A i Q 4R7 ^ 4,7 Q 9R1 A 9,1 Q
10Q-91Ü
X YR
X = l. Ziffer Y = 2. Ziffer
2 % und
z. B. 10R^ 10 Q
5%
47R^=47 Q 91R^91Q 100Q-10M
X YZ
X, Y = 1. und 2. Ziffer (Wertigkeit) Z = 3. Ziff er = Multiplikator auf Basis 10 (Anzahl der Nullen) Multiplikatorwerte Ziffer l 0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
MultiJ pH- 10° 101 102 103 104 105 106 107 108 109 kator 1
23
Toleranz
Wertebereic Beschriftungsc Hinweise und Beispiele h ode (Aufdruck) z. B. 101 A 100 Q 471 A 470 ü 102 A 1 kQ 122^ 1,2 kQ 472 ^ 4,7 kQ 103 A 10 kQ 473 ^ 47 kQ 104 A 100 kQ 124 A 120 kQ 154 A 150 kQ 224 A 220 kQ 474 ^ 4 7 0 kQ 105 A l MQ 106 A 10 MQ
1%
100 - 988 Q
X YZ R
X, Y, Z = 1., 2. und 3. Ziffer des Widerstandes (Wertigkeit) z. B. 100 R A 100 Q 988 R A 988 Q
1 kQ - 1 MQ
XY Z M
X, Y, Z = 1 , 2. und 3. Ziffer des Widerstandswertes (Wertigkeit) M = Multiplikator auf Basis 10 (Exponent), Anzahl der Nullen z. B 1001 ^
1 kQ
1201 ^ 1,2 kQ 4701 A 4,7 kQ 1002 ^ 10 kQ 1202 =£= 12 kQ 4702 A 47 kQ 1003 A 100 kQ 1004 A 1 MQ
24
Kennzeichnung der Keramik-Chip-Kondensatoren
Bei der industriellen Gurten- oder Rollenlieferung sind die KeramikChip-Kondensatoren meistens weder mit dem Wert noch mit einem Code bedruckt. Daher muß bei der Lagerung sorgfältig darauf geachtet werden, daß bei Erhalt die eingetütelten Kondensatoren richtig eingeordnet werden und der Aufbewahrungsbehälter (Minicontainer, Plastikbehälter, Döschen) einwandfrei gekennzeichnet wird. Wird die Dreizeichencodierung angewandt, so gilt wiederum: Erste und zweite Stelle = Wertigkeit Dritte Stelle = Exponent auf Basis 10 (Multiplikator, Zahl der Nullen) z. B. 101 = 10 • 101 = 100 pF 104 = 10 • 104 = 0,1 nF
Kapazitätswert in pF (1012 F)
Kennzeichnung von Tantalelkos
Auch Tantalelkos werden teilweise ohne Aufdruck geliefert. Manchmal werden Tantalelkos mit codierter Beschriftung, dagegen Elkos mit großen Kapazitätswerten meist mit direktem Wertaufdruck und Kennzeichnung der Polarität geliefert. Bei der Dreizeichencodierung gilt auch hier: Erste und zweite Stelle = Wertigkeit des Kondensators Dritte Stelle = Exponent auf Basis 10 bzw. Multiplikator, Zahl der Nullen Beispiel: 104 = 10 • 104 = 0,1 ^F 474 = 47 . io4 = 0,47 jiF
Der Kapazitätsbereich von Tantalelkos reicht von 0,1 \i¥ bis 100 \iF. Die Baugrößen und Bauformen der Elkos sind von der Kapazität und Betriebsspannung abhängig. Abmessungs-Schwerpunkte sind die Bauformen 0805,1206 und erstrecken sich bis zu ca. 7 x 5 x 3 mm. Die Polaritätskennzeichnungen verschiedener Bauformen zeigen die Abbildungen auf Seite 26. Die Polaritäten müssen unbedingt beim Bestücken eingehalten werden. 25
Kennzeichnung von Tantalelkos 26
1.11 Leiterplattenentwurf für manuelle Bestückung Bei der Einzelanfertigung von Leiterplatten für manuelle SMD-Bestükkung haben sich folgende praktische Hinweise bewährt: 1. Grundsätzlich sollte man mit dem Lay-outen erst dann beginnen, wenn sämtliche in der Schaltung vorkommenden Bauteile vorhanden sind. Damit erspart man sich Nacharbeiten, die durch SMDBauteile mit anderen Bauformen entstehen. 2. Als Basismaterial ist kein spezielles Leiterplattenmaterial erforderlich. Allerdings sollte eine qualitativ hochwertige Ausführung in Epoxyd-Glasfaser, bei der sich die Leiterbahnen bei Temperatureinwirkung nicht lösen oder stark ausdehnen, verwendet werden. Für kleinere SMD-Bausteine kann Epoxyd-Glasfaser mit Stärken von 0,5 - l mm benützt werden mit einer üblichen Kupferauflage von 35 (im. Das Lay-outen Für die Erstellung des Lay-out können die bekannten Verfahren benutzt werden. Bewährt hat sich die Klebetechnik, wobei im Interesse einer exakten Bahnführung mindestens im Maßstab 2 : \ und bei höheren Anforderungen 4 : \ geklebt werden sollte. Für sehr einfache Schaltungsentwürfe reicht bereits ein Kleben im Maßstab l : 1. Die hierfür erforderlichen Anreiben und Klebesymbole werden jetzt häufiger im Handel angeboten oder können aus vorhandenem konventionellen Bestand selbst erstellt werden. Die minimale Leiterbahnbreite beträgt 0,5 mm, und der minimale Bahnabstand sollte mit 0,5 mm nicht unterschritten werden. Die Ausführung der Lötpads für die SMDs ist quadratisch oder rechteckförmig. Für den Einstieg können die Leiterbahnen durchaus etwas breiter als erforderlich ausgeführt werden, sofern nicht eine hohe Packungsdichte oder die maximalen Miniaturisierungsmöglichkeiten ausgeschöpft werden müssen. Die Leiterbahnbreiten richten sich auch, wie beim Lay-outen üblich, nach den Strombelastungen, - auch für den Kurzschlußfall - Betriebsspannungen und Leitungskapazitäten. Vorteilhaft beim Lay-outen sind auch SMD-Einzelhalbleiter mit „reversiblen" Anschlußbelegungen mit dem Zusatz „R" zum Stempelcode. Bei diesen sind meistens die Anschlußbelegungen Kollektor und Emitter im Gegensatz zur Normalausführung (siehe Tabellenteil) vertauscht. Gleichfalls ist die Möglichkeit der Überbrückung einer Leiterbahn durch Null-Ohm-Widerstände (Jumper = Brücke) gegeben. Der Einbau von Leiterbahn-Prüfpunkten bzw. kleinen Prüfflächen, die von einer SMD-Prüfspitze kontaktiert werden können, ist eine Hilfe für die Service- und Prüfpraxis. Ebenso sollten die Anschlußflächen der Terminals für die externen Verbindungsleitungen etwas großflächiger ausgeführt werden. 27
1.12 Handlötung von SMD-Bauelementen Der erfolgreiche SMD-Selbsthau wird durch das „richtige Löten" entscheidend bestimmt. Die winzigen SMDs werden als oberflächenmontierbare Bauelemente plan auf der Leiterbahnseite, die zugleich Lot- und Bestückungsseite ist, fixiert und danach angelötet. Dazu ist als Minimum folgendes Werkzeug erforderlich: 1. Eine Pinzette mit feiner Spitze zum Positionieren und Festhalten der Mikrobauelemente (z. B. Uhrmacherpinzette, gebogen oder gerade). 2. Feinstlötkolben mit einer zunderfreien Spitze mit einem max. Durchmesser von ca. 0,8 - \ mm. Lötkolbenleistung ca. 15 W. Besser ist noch eine temperaturgeregelte Niedervolt-Lötstation. 3. Dünnes SMD-Lötzinn mit 0,5 mm 0, z. B. Sn60/40Pb mit niedrigem Schmelzpunkt, damit die SMDs möglichst wenig erhitzt werden, und mit Flußmittelseele auf Kolophoniumbasis für schnelle Lötung und säurefreie Lötstellen. Ein solches Lot wird nach DIN 8516 z. B. mit der Bezeichnung LS60PbCu2 angeboten. Empfehlenswert ist zusätzlich folgendes Werkzeug: a) Eine Lupe als optischen Verstärker. b) eine Vakuumpipette oder Pinzette zur Entnahme der winzigen Bauteile aus der Lagerbox und Plazierung auf der Leiterplatte. c) Feine Lötsauglitze 0,8 mm 0 zum Auslöten von Chip-SMD-Bauelementen. Vorbereitung 1. Auf einem sauberen, zugluft- und windgeschützten Arbeitsplatz werden die richtig entzifferten SMD-Bauteile sortiert. 2. Die kleine SMD-Platine wird mit einem doppelseitigen Klebeband auf dem Arbeitstisch arbeits- und lupengerecht - möglichst auf einer hellen Unterlage - plaziert. Durch die Verwendung eines doppelseitigen Klebebandes mit einer Klebeseite zum Arbeitstisch und der anderen zur Leiterplatte wird ein Verrutschen des Prints während der Bestückungs- und Lötphase vermieden. Lötvorgang 1. Zunächst wird eine Lötstelle des zu bestückenden Bauelementes leicht vorverzinnt. 2. Das SMD-Bauelement wird ohne besondere mechanische Beanspruchung mit der Pinzette auf die vorverzinnte Lötstelle aufgesetzt, wobei mit dem Lötkolben das Bauteil wie auch die Lötstelle gleich-
28
.Leiterbahn Trägermaterial Pinzette
Lötkolbenspitze
richtige Lötstelle mit Lotdosierung
zu viel Lötzinn
zu wenig Lötzinn Handlöten 29
zeitig erhitzt werden. Die Lötphase sollte bei richtig erhitztem Lötkolben von ca. 210 bis 230° nur ca. 3 Sekunden dauern, bis das Lötzinn richtig verflossen und ein einwandfreier, mechanisch stabiler und elektrischer Kontakt hergestellt ist. Eine zu kurze Lötzeit läßt das Zinn nicht sauber verfließen und eine zu lange würde die winzigen Bauteile durch zu hohe thermische Belastung beschädigen oder gar rösten. Bei den Bauteilen müssen die max. Löttemperaturen und Lötzeit eingehalten werden. 3. Danach werden die restlichen Anschlüsse so gelötet, daß die Lötspitze Leiterbahn-Lötstelle und Bauteileanschluß zugleich erhitzt werden und das Lötzinn anfängt zu fließen. Vermeiden sie jegliche mechanische Belastung des SMD-Bauteils durch den Lötkolben oder Pinzette. Die Dosierung des Lotes darf nicht zu wenig und nicht zu viel sein (Kurzschlußgefahr durch Zinnbrücken). Die richtige Menge Lot und Lötung zeigen die Abbildungen auf Seite 29. Entlötung Hierzu ist die Verwendung einer feinen Lötsauglitze (0,8 mm 0) zweckmäßig. Diese wird auf die Lötstelle des Bauteils mit dem Lötkolben gedrückt, bis das Lötzinn von der Entlötlitze aufgenommen ist. Dann vollgesaugte Entlötlitze mit dem Lötkolben abheben. Das Bauelement wird anschließend mit der Pinzette vorsichtig entfernt und entsorgt, das vollgesaugte Litzenteil abgeschnitten. Grundsätzlich sollte man im Interesse einer möglichst geringen thermischen Beanspruchung der Leiterplatte lieber eine Gefährdung des zu entlötenden Bauteils in Kauf nehmen und auf dessen Wiederverwendung aufgrund möglicher Defekte verzichten. Für ein paar Pfennige erspart man sich dabei viel Ärger. Üben macht den Meister Für Einsteiger ist ein Üben anhand billiger SMD-Bauteile und einer Versuchsplatine empfehlenswert, damit man den Umgang mit Lötkolben, Temperatur- und Zinndosierung beim Verlöten von SMD-Bautei-len in den Griff bekommt. Der Umgang mit SMD-Lotpaste Bei Verwendung von Lotpaste ist darauf zu achten, daß die Kartusche eine längere Lager- und Verarbeitungszeit gewährleistet und die Lotpaste nur sehr gering oxidiert. SMD-Lotpasten enthalten das Lotpulver (z. B. SN 63), ein Flußmittel (z. B. Kolophonium) und ein Geliermittel, damit sich die einzelnen Bestandteile nicht trennen und die Mischung erhalten bleibt. 30
Das Lotpulver hat einen Anteil von ca. 80 Prozent. Der Inhalt einer kleinen Kartusche beträgt 25 g. Der Lötvorgang Die SMD-Lotpaste wird exakt dosiert (nicht zu wenig und nicht zu viel) direkt auf die Lötstelle (Lötfleck) aufgebracht, die Platine mit den SMDBauelementen bestückt und durch Heißluft, Reflowofen oder Lötkolben verlötet. SMD-Lotpaste-Plastikspritze Die Verwendung einer Lotpaste-Plastikspritze erleichtert wesentlich das manuelle SMD-Löten. SMD-Lotpaste-Spritzen mit einem Inhalt von ca. 2 ml sind für unsere Lot-Versuche besonders wirtschaftlich. Die SMD-Lotpaste wird über eine sehr dünne Kanüle direkt auf die Lötflecke gezielt und richtig dosiert gespritzt bzw. aufgebracht. Die SMD-Bauelemente werden dann auf die Lötflecke mit der Lotpaste positioniert und mittels eines Lötkolbens gelötet. So hat beispielsweise die SMD-Lotpaste 8005/2 von Mira-Electronic, Nürnberg als Einwegkartusche einen Inhalt von ca. 2 ccm und ist mit passender Dosiernadel und Verschluß versehen. Durch den besonders niedrigen Schmelzpunkt (ca. 190°C) können damit SMD-Bauelemente schonend gelötet werden. Vorteilhaft ist dabei, daß bei SMD-ICs nicht auf jeden Lötfleck einzeln die Paste aufgebracht werden muß, sondern es kann ein Strang über alle Pads gezogen werden. Beim Verlöten zieht sich dann das Lot auf jeden Lötfleck zusammen; Kurzschlüsse können kaum entstehen.
1.13 Aufbau, Bestückung und Kontrolle Die Durchführung dieser Arbeiten hat sich nach folgender Reihenfolge bewährt: 1. Einlöten der Halbleiter (Einzeltransistoren, ICs, Dioden, LEDs) Anschlußbelegungen und Polaritätsangaben beachten. 2. Einlöten von Trimmwiderständen und sonstigen elektromechanischen Bauelementen. Dabei sollten die Anschlüsse leicht vorverzinnt werden, damit die Lötpads der Leiterbahnen nicht zu sehr thermisch beansprucht werden. 3. Sämtliche Widerstände. 4. Sämtliche Kondensatoren unter Berücksichtigung der Polaritäten bei Elektrolytkondensatoren und Spannungsangaben. Ein verkehrter Anschluß führt zur Zerstörung von Bauteilen. 31
5. Bestückungskontrolle anhand des Aufbauplanes in Verbindung mit dem Schaltplan. Elektromechanische Bauelemente wie z. B. Trimmwiderstände sind im eingebauten Zustand auf ihr Funktionieren mittels eines Ohmmeters zu überprüfen. So erspart man sich eine mögliche zeitraubende Fehlersuche. 6. Visuelle, optische Überprüfung des bestückten Prints auf mögliche Feinschlüsse von Leiterbahnen durch Zinnbrücken mit Hilfe einer Lupe. 7. Anschlußleitungen an den Terminals des Moduls anlöten und überprüfen, ob die Verbindungsleitungen (Polarität bei der Stromversorgung beachten, Ein- und Ausgänge, Masseanschlüsse etc.) richtig sind. Einbau und Montage Nachdem SMD-Baugruppen nur sehr wenig Platz beanspruchen, eine geringe Bauhöhe haben und gewichtsarm sind, können diese in bereits vorhandenen Geräten und Moduln verhältnismäßig leicht untergebracht werden. Die allgemeinen Regeln des Schaltungsaufbaus gelten auch bei SMDs. So sollten empfindliche NF-Vorverstärker unmittelbar am Verstärkereingang bei richtiger Erdung montiert werden, möglichst entfernt von Einstreuungen aller Art. Eine Montage in unmittelbarer Nähe von Wärmequellen und Staus ist zu vermeiden. Die SMD-Baugruppe kann mit einem doppelseitigen, langzeitstabilen Klebeband auf ein Metallchassis isoliert geklebt werden, wobei das Metallchassis gleichzeitig als Abschirmung der Leiterplatine verwendet wird. Schutz durch Plastikgehäuse Zum Schutz gegen mechanische oder elektrische Beschädigung beispielsweise durch ein versehentliches Ausrutschen mit dem Schraubenzieher - kann der SMD-Baustein in ein Plastikgehäuse eingebaut werden, das dann im Gerät oder Modell festgeklebt wird. Derart passende Plastikgehäuse mit Deckel hat man vielleicht selbst zur Aufbewahrung von Schmuck oder als Minibehälter von Kleinteilen zuhause. Sie sind auch für wenige Pfennige leicht beschaffbar. Bewährt hat sich eine Ausführung mit Stülpdeckel, bei dem die Seitenteile zur Herausführung der Anschlußleitungen herausgebrochen oder mit Bohrlöchern versehen werden. Inbetriebnahme Nach nochmaliger Kontrolle insbesondere auf polrichtigen Anschluß der Versorgungsleitungen kann das SMD-Modul in Betrieb genommen werden. 32
2 Praktische Anwendungen 2.1 Zweistufiger SMD-NF-Vorverstärker mit Einzeltransistoren (Entwurf SW 100 V) SW 100 V W
Technische Daten Stromversorgung: 4,5 - 12 V /1 - max. 3,5 mA Frequenzgang: 20 Hz - 200 kHz ± 0,3 dB Verstärkung: ca. 50 - 120fach einstellbar Klirrfaktor: <1% Eingangsimpedanz: ^ 70 kQ Übersteuerungs sicherheit: 30 mV bei lOOfacher Verstärkung und UB = 12 V Max. Ausgangshub bei UB = 12 V: 3 Veff Maße: 30 x 20 x 5 mm (L x B x H) Anwendung
NF-Vorverstärker zur Verstärkung kleiner Tonsignale, z. B. als Mikrofonvorverstärker oder als Audio-Signalvorverstärker bei miniaturisierten Meß- und Prüfgeräten für die NF-Technik. Betriebshinweise Die Schaltung kann mit einem doppelseitigen Klebeband auf ein Metallchassis isoliert angeklebt werden, wobei das Metallchassis gleichzeitig als Abschirmung der Leiterplatine verwendet wird. Es gelten auch hier die üblichen Aufbauregeln für NF-Verstärker. Achten Sie bitte auf polaritätsmäßig richtigen Anschluß der Betriebsspannung, die maximal 12 V betragen darf und brummarm (z. B. Batterie) sein muß. 33
34
M 1:1
Stückliste Zweistufiger SMD-Vorverstärker SW 100 V Plan
Anzahl Bauelement Wert
SMDMaße Kennung 1F
Bauform
2
Transistoren BC 847
1
Widerstand
Rl
105
3, 2x1, 6mm
1206
1
Widerstand 100 kQ
R2
104
3,2x1,6 mm
1206
1
Widerstand
R3
331
3, 2x1,6 mm
1206
3,2x1,6 mm
1206
1 MQ 330 ü
Tl,T2
SOT-23
1
Widerstand
2,2 kQ
R4
222
1
Widerstand
22 kQ
R5
223
3,2xl,6mm
1206
1
Widerstand 220 Q
R6
221
3,2x1,6 mm
1206
1
104
1
Widerstandstrimmer 100 kQ TR Tantalelko 4,7nF/15V Cl
3, 8x4, 5mm ~ 6x3x2mm
2
Tantalelkos 22^iF/12V C2, C3
1
Leiterplatte
1
SMD-Spezial-lötzinn
~ 7 x 4 x 3 mm S W 100 V
20x30mm
35
2.2 SMD-Audio-Vorverstärker mit linearer oder nichtlinearer Verstärkung (Entwurf SW 108 VLE)
(Bestückung als Linearverstärker)
Technische Daten Stromvesorgung: Daten bei UB = 9 V Linearverstärker Verstärkung: Klirrfaktor: Frequenzbereich: Übersteuerungssicherheit bei V= 120fach: bei V = SOfach: Eingangswiderstand:
5 - 1 2 V /ca. 3,5 mA
ca. 4 - 120fach < 1% 30 Hz - 20 kHz ± l dB 10 mV 15,5 mV für UA = 775 mV (0 dB) « 50 kQ
Entzerrerverstärker UE = 4,5 mV für UA = 250 mV (bei 1000 Hz) « 50 kQ 30 x 20 x 5 mm Eingangswiderstand: (L x B x H) Maße: Anwendung Der Audiovorverstärker ist mit einem rauscharmen Operationsverstärker bestückt und kann extern sowohl für Linearverstärkung wie auch mittels einer frequenzabhängigen Gegenkopplung auf nichtlineare Verstärkung zum Anschluß eines Plattenspielers mit magnetischem System beschaltet werden. Betriebshinweise Der empfindliche Vorverstärker sollte mit einem doppelseitigen Klebeband auf ein Metallchassis isoliert festgeklebt werden, wobei das Chassis gleichzeitig als Abschirmung dient. Es gelten auch hier die üblichen Aufbauregeln für NF-Verstärker. Der Anschluß UM ist für den Betrieb eines Elektret-Mikrofons vorgesehen. 36
Enfzerrerverstorker
Audio-Vorverstärker SW 108 VLE
37
1
tjBÖ
Stückliste Audio-Vorverstärker SW 108 VLE Anzahl Bauelement Wert
Plan
SMD-
Maße
Bauform
~5x6mm
SO-8
Kennung 1
Operationsverstärker TL071SMD
1
Widerstand 1 kQ Widerstand 2 kQ (2,2kQ)
Rl
3,2xl,6mm
1206
1
R2
202 (222)
3,2xl,6mm
1206
1 1
Widerstand 100 kQ Widerstand 100 kQ
R3
104
R4
104
3,2xl,6mm 3,2xl,6mm
1206 1206
1
Widerstand 470 Q
R5
471
3,2xl,6mm
1206
1
Widerstand
1 kQ
R6
102
3,2xl,6mm
1206
1 1
Widerstand 15 kQ Widerstand 100 kQ
R7
153
R8
104
3,2xl,6mm 3,2xl,6mm
1206 1206
1 1
Widerstandstrimmer 100 kQ Tantalelko l^iF/lSV
1
Tantalelko
1
Kondensator 47nF/50V G3
1
Kondensator 47nF/50V C4
1
Tantalelko
22 |iF/15V C5
2x1,25 3,2xl,6mm 2x1,25 3,2xl,6mm ~ 7x3x3 mm
1
Tantalelko
22 nF/15V C6
~ 7x3x3 mm
11
Leiterplatte SMD-Spezial-lötzinn
38
TL081SMD oder
102
TR r
104 Cl
47jiF/10V C2
SW108 VLE
3,8x4, 5mm ~ 4x3x2mm ~ 7x4x3 mm
20x30mm
(0805) oder (1206) (0805) oder (1206)
2.3 SMD-Mono-Endverstärker 30 mW - 500mW (Entwurf SW 106 E)
Technische Stromversorgung: Daten Frequenzgang (P = 100 mW) UB = 9 V: Ausgang: UL
100 Hz - 20 kHz ± l dB 8 - 100 Q
P8fi 500 mW
9V
IB 100 m A
Ruhestrom ca. 5 mA
100 mV
400 mW
7,5V
90 mA
4,5 mA
80 mV
150 mW
6V
70 mA
4,5 mA
50 mV
100 mW
4,5 V
40 mA
4,5 mA
30 mV
30 mW
3V
30 mA
4,5 mA
1 mV - 120 mV 5
Maße: 30 x 20 x 5 mm (L x B x H)
UB
3 - 10 V
bei Cß = 2 x 47 jiF
Anwendung Der Mini-Audioverstärker ist zum Anschluß eines Mini-Lautsprechers wie auch für HiFi-Hörer verwendbar. Seine maximale Ausgangsleistung bei 9 V-Betrieb beträgt 0,5 Watt bei einem Klirrfaktor von kleiner 0,5% (1000 Hz). Sein Verwendungsbereich reicht vom Miniradio, Funkgerät, Computersound, Cassettenrecorder bis zum Einbau in Modelle. Die Speisespannung kann 3 - 9 V betragen. Die Eingangsempfindlichkeit des Audioverstärkers ist mittels eines Widerstandstrimmers fest einstellbar. Betriebshinweise Der Audioverstärker darf nicht ohne eingangsseitigen Abschluß mit dem Potentiometer P (22 kQ log.) betrieben werden. Im Interesse einer guten Tonwiedergabe bei optimalem Fremdspan-nungsabstand muß das Timmpoti TR auf die vom Eingangssignal abhängige Mindestverstärkung bei voll aufgedrehtem eingangsseiti-gem Lautstärkepotentiometer eingestellt werden. Der angeschlossene Lautsprecher oder Hörer muß eine Mindestimpedanz von 8 Ohm haben, die nicht unterschritten werden darf. 39
--:
40
Stückliste Audioverstärker 3 - 10 V SW 106 E Anzahl Bauelement Wert
1
Audio-IC
Plan SMDMaße Kennung LM 386 SMO — 5x6 mm
1
Widerstandstrimmer Widerstand
10 kü 1,2 kQ
TR Rl
103 122
-3,8x4, 5mm 3,2xl,6mm
1206
Widerstand Kondensator
10 Q lnF/50V
R2 Cl
100
3,2xl,6mm
1206
1 1 1
Tantalelko
10nF/15V
C2
Tantalelko Kondensator
10nF/15V 47nF/50V
C3 C4
~ 6 x 4 x 2 mm
1 1
Tantalelko Tantalelko oder
47 nF/10V
C5
— 7x4x3 mm
1 1
1
100 fiF/lOV C6
2x1,2 mm 3,2xl,6mm — 6x4x2mm 2x1, 2 mm 3,2x1,6 mm
B au form SO-8
(0805) oder (1206)
(0805) oder (1206)
~ 7,5x5x3mm
2x47[iF/10V parallel
1 1
Leiterplatte
SW106E 20x30mm
SMD-Speziallötzinn
41
2.4 Mikro-Stereoverstärker (Entwurf SW 107 St)
Technische Daten Stromversorgung: Ruhestrom: Eingangsempfindlichkeit: Frequenzbereich: Klirrfaktor: Max. Ausgangsleistung: Mindest-Lastimpedanz: Maße:
1,6 - 6 V /ca. 5 -150 mA ca. 5 mA 100 mV 100 Hz - 20 kHz ± 3 dB <1% (1000 Hz) 75 mW pro Kanal (32 Q) 32 Ohm 30 x 20 x 5 mm
Anwendung Der Mikro-Stereoverstärker ist zum Anschluß von Minilautsprechern und hochwertigen dynamischen Kopfhörern mit einer Mindest-Impedanz von 32 Ohm verwendbar. Sein Stromversorgungsbereich reicht herab bis zu 1,6 Volt, so daß das Zweikanalverstärkermodul sowohl in portablen Mikro- und Mini-RF-Empfängern, Cassettenrekordern wie auch in der Spielzeug- und Modellbautechnik einsetzbar ist. Der Mikro-Stereoverstärker kann nachträglich als Abhör- bzw. Monitorverstärker in bereits vorhandene NF-Geräte eingebaut werden. Betriebshinweise Es ist darauf zu achten, daß der angeschlossene Hörer oder Lautsprecher eine Mindestimpedanz von 32 Ohm besitzt. Dieser Wert darf zwar überschritten aber nicht unterschritten werden. Mit den Trimmwiderständen TRl und TR2 werden die Kanalsignale so eingestellt, daß bei gleichen Kanalverstärkungen die erforderliche Verstärkung bei geringster Verzerrung vorhanden ist. Die max. Betriebsspannung beträgt 6 V. 42
43
M 1:1
Stückliste Mikro-Stereoverstärker SW 107 St Anzahl Bauelement
1
Stereo-NfVerstärker-IC
1
Widerstandstrimmer Widerstandstrimmer Widerstand
Wert
Plan SMDMaße Kennung TDA 7050 SMD- 5x6mm
Bauform SO-8
22 kQ
TRl 223
~ 3,8x4, 5mm
22 kQ 1 kQ
TR2 223 Rl 102
~ 3, 8x4, 5mm 3,2xl,6mm
Widerstand
1 kQ
R2
102
Kondensator
1000 p
Cl
100
3,2x1,6 mm 3,2x1,6 2x1, 2 mm
1206 (I206)oder (0805)
1
Kondensator
1000 p
C2
100
3,2x1,6 2x1,2 mm
(1206) oder (0805)
1 1 1
Tantalelko Tantalelko
4?nF/10V
C3
47nF/10V
C4
~ 7x5x3mm ~ 7x5x3mm
Tantalelko
47 jiF/lOV
C5
~ 7x5x3mm
1
Leiterplatte
SWl07St
20x30mm
1
SMD-Speziallötzinn
1
1 1 1
44
1206
2.5 SMD-Präzisionsgleichrichter für NF-Anwendungen (Entwurf SW 101 G)
Technische Daten
Stromversorgung: Frequenzgang: Eingangsempfindlichkeit:
9-12 V /ca. 3 mA 30 Hz - 30 kHz 120 mV für Anzeige 100 R, « l kQ, (100 mV)
Eingangsimpedanz: ^ 50 kQ Maße:
30 x 20 x 5 mm (L x B x H)
Anwendung
Erweiterung vorhandener Meßgeräte für NF-Messungen im Bereich von 30 Hz - 30 kHz. Selbstbau von empfindlichen Audio-Millivoltmetern im Miniformat. In Verbindung mit dem NF-Vorverstärker SW 100 V ist der Selbstbau eines Audio-Millivoltmeters mit einer Empfindlichkeit von l mV möglich. Allgemeine Verwendung als Anzeigeverstärker und Meßgleichrichter für kleine Signal-Wechselspannungen für den NF-Bereich. Betriebshinweise
Bei Abänderung von R4 kann die Eingangsempfindlichkeit des Anzeigeverstärkers und Meßgleichrichters erhöht werden, sofern die NF-Bandbreite bis herauf zu 30 kHz nicht erforderlich ist.
45
46
Stückliste Aktiver Meßgleichrichter SW 101 G Anzahl Bauelement
Wert
Plan SMDMaße Kennung
Bauform
1
Operationsverstärker-
TL 081 SMD SMD 5x6mm oder TL 071
4
Si-Dioden Widerstand
LL 4148 1 kQ
Dl-4 1,6x3, 5mm
SOD-80
Rl
102
3,2xl,6mm
1206
104
3,2xl,6mm
1206
3,2xl,6mm
1206
1
SO-8
1
Widerstand
100 kQ
R2
1
Widerstand
100 kQ
R3
104
1
Widerstand
1 kQ
R4
102
3,2xl,6mm
1206
1
Widerstand
100 Q
R5
101
3,2xl,6mm
1206
1
3,2xl,6mm
1206
Widerstand
100 Q
R6
101
1
Kondensator
0,47iiF/15V
Cl
~ 4 x 3 x 2 mm
1
Tantalelko
47 jiF/lOV
C2
~ 7 x 4 x 3 mm
1
Kondensator
0,47nF/15V
C3
~ 4 x 3 x 2 mm
1
Leiterplatte
1
SMD-Speziallötzinn
SWlOlG 20x30mm
47
2.6 Astabiler SMD-Multivibrator für Vielzweckanwendungen (Entwurf SW 103 M)
Technische Daten
Stromversorgung: ohne LEDs: Generatorfrequenzen: Maße:
5 - 10 V, ca. 15 mA bei LED-Betrieb ca. 5 mA siehe Tabelle 30 x 20 x 5 mm (L x B x H)
Anwendung Der astabile Multivibrator ist ein vielseitig verwendbares Minimodul, das als Wechsel-Blinkschaltung bei der Realisierung von elektronischem Schmuck, beim Modellbau, für Spielzeug, ModellEisenbahnen genauso Verwendung findet wie als Tongeber und Prüfoszillator. Der Rechteckgenerator ist mit dem Timer IC 555 SMD aufgebaut, dessen Frequenz in einem weiten Bereich je nach Verwendungszweck sowohl durch entsprechende Wahl des Schwingkondensators wie auch innerhalb des Bereiches durch das Trimmpoti variierbar ist. Die Printausführung wurde so ausgeführt, daß Lumineszenzdioden in SOT-23-Gehäusen oder SOD-80 Ausführung direkt auf die Leiterplatte gelötet werden können. Gleichzeitig sind Printanschlüsse für die externe Verwendung des Rechtecksignals, beispielsweise zum Treiben eines Akustikgebers (Piezo-Summer) oder als Rechtecksignal für Prüfzwecke vorhanden. Betriebshinweise Soll der Generator andere Rechteckfrequenzen, wie angegeben, liefern, so können diese nach der angegebenen Formel errechnet werden (Werte R in Ohm, C in F und f in Hz). l jiF = 10fa l F - 0,000001 F F = nF = 104 l pF 0,000000001 F F = = 10 u 0,000000000001 48
SMD-Astabiler Multivibrator SW 103 M
49
M 1:1
Stückliste Astabiler Multivibrator SW 103 M Anzahl Bauelement
Plan SMDMaße Kennung ~ 5x6 mm
SO-8
25 kQ 1,4 kQ (l,5kQ)
TR Rl
1206
Widerstand
4,7 kQ
472
Widerstand
1 kQ
R3
102
3,2xl,6mm
1206
Widerstand
1 kQ
R4
102
3,2xl,6mm
1206
LED rot LED grün
5V/30mA LEDl 5V/30mA LED2
SOT-23
Kondensator
10nF/50V Cl 2xl,2mm 0,ljiF/15V 3,2xl,6mm
0805
1
Timer-IC
1
Widerstandstrimmer Widerstand
1 1 1 1 1 1 1 1
Wert 555 SMD
1HF/20V
1
253 -3,8x4, 5mm 142(152) 3,2xl,6mm 3,2xl,6mm
Tantalelko Tantalelko
10 nF/16V ~ 6x4x2mm 22 |iF/15V ~ 7x3x3mm
Kondensator
0,l|iF/15V C2
1
SMD-Speziallötzinn
50
1206
SOT-23 1206
~ 4x2x2mm
1 1 1 1
Leiterplatte
Bauform
3,2xl,6mm
SW103M 20x30mm
1206
3 SMD-Halbleiter-Arbeitshilfe 3.1 Allgemeine Erläuterungen und Hinweise Für den Praktiker reichen meistens die wichtigsten elektrischen Grenzwerte, Kennwerte, Vergleich mit konventionellen Typen, Codes, Gehäuseausführungen und Anschlußbelegungen aus. Die Angabe von Firmen, - welche keinen Anspruch auf Vollständigkeit hat -, erleichtert dem professionellen Anwender die Einholung ganz spezieller Detailinformationen. Es muß dabei beachtet werden, daß bei Nennung mehrerer Hersteller für dasselbe Produkt herstellerspezifische Unterschiede auch in den elektrischen Werten auftreten können. SMDs müssen bei gleicher Codierung nicht absolut identisch sein, insbesondere dann nicht, wenn bei gleichem Code die Bauformen unterschiedlich sind. Die Angaben, Anschlüsse etc. beziehen sich nur auf die angegebenen Herstellerfirmen. Alle Grenzwerte sind absolute Grenzwerte, sofern nichts anderes angegeben ist. Diese dürfen unter keinen Umständen überschritten werden. Eine Überschreitung eines Grenzwertes kann zur Schädigung bzw. Zerstörung des Halbleiters führen. Wird für Spannungen oder Ströme nur ein Grenzwert angegeben, so gilt dieser sowohl für den Gleichwert wie auch Scheitelwert. Reverse In Normalausführung ist bei den Transistoren mit dem Gehäuse SOT-23 \ — Basis, 2 = Emitter und 3 = Kollektor. Diese sind auch teilweise als „Reversetype" mit dem Zusatz „R" zur Typenbezeichnung und Stempelcode mit der vertauschten Anschlußbelegung zwischen Emitter und Basis (l = Emitter und 2 = Basis) lieferbar. Dadurch kann ein günstiger Leiterbahnverlauf erreicht werden (vgl. SOT-23 Fig. 23 und 24 Seite 85). Kurzzeichen und Begriffe Dioden B Gleichstromverstärku UR Sperrspannung ng UF Durchlaßspannung IP Durchlaßstrom fr Transitfrequenz Rauschzahl IFM Spitzendurchlaßstrom F Hochfrequenz Ptot Gesamtverlustleistung HF Hochvolt Cu Diodenkapazität HV Drain-SourceCVCt2 Diodenkapazitätsverhältnis UDS spannung bei Abstimmdioden bei FETs UZV Zenerspannung Drainstrom bei Zenerdiode ID Drain-SourceIzmA Zenerstrom IDSS Kurzschlußstrom Transistoren Durchlaßwiderstand RDS i bei durchgeschaltetem UCEO Kollektor-Emitterspannung Ic Kollektor-Strom FET (arithm. Mittelwert) ICM Vorwst Vorwärtssteilheit Kollektor-Strom Scheitelwert Ptol U(,A Spg. Steueranschluß-Anode Gesamtverlustleistung IA Anodenstrom (Mittelwert) 51
3.2 SMD-DJOden Anschlüsse Seite 84 SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
BA582
blau
BA583 BA584 BA585 BA679 BA 679 S BA682 BA683 BA779 BA 779 S BA885 BAL74 BAL99 BAQ33
blau blau grün
Art, Verwendung
Grenzwerte UR -
IF
Siemens
PIN-Diode
35V
PIN-Diode PIN-Diode PIN-Diode PIN-Diode f. Dämpfgs.-Netzwerke PIN-Diode f. Dämpfgs.-Netzwerke VHF-Bereichumschaltung VHF-Bereichumschaltung PIN-Diode f. Dämpfgs.-Netzwerke PIN-Diode f. Dämpfgs.-Netzwerke PIN-Diode Schaltdiode Schaltdiode Diode mit sehr kleinem Sperrstrom
35V 35V 50V 30V 30V 35V 35V 30V 30V 50V 50V 70V 30V 60V 125V 100V 100V 100V 100V 100V 100V 75V
200mA 200mA
BAW62
Diode mit sehr kleinem Sperrstrom Diode mit sehr kleinem Sperrstrom PIN-Mikrowellendiode PIN-Mikrowellendiode PIN-Mikrowellendiode PIN-Mikrowellendiode PIN-Mikrowellendiode PIN-Mikrowellendiode Diode für schnelle Schalter
Konventionell
P«
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
100mA
SOD-123
14
100mA 100mA 50mA 50mA 50mA 100mA 100mA 50mA 50mA 50mA 250mA 250mA 200mA
SOD-123 SOD-123 SOD-123 SOD-80 SOD-80 SOD-80 SOD-80 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOD-80
14 14 14 19 19 19 19 3 3 3 1 2 19
SOD-80 SOD-80 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-143 SOT-143 SOT-23 23 A3, DIN 41869 SOT-23, 23 A3, DIN 41869
19 19 5 7 6 3 17 18 3
BAQ34 BAQ35 BAR 14-1 BAR 15-1 BAR 16-1 BAR 17 BAR 60 BAR 61 BAS 16
L7 L8 L9 L6 60 61 A6
Siemens Siemens Siemens Telefunken Telefunken Valvo, ITT Valvo, ITT Telefunken Telefunken Siemens Siemens Siemens Telefunken Telefunken Telefunken Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens
BAS 17
A91
Valvo
BA314
Stabilisierungsdiode
BAS 19 BAS 19
JP A8
Siemens Valvo
Schaltdiode Schnelle Allzweckdiode
100V 120V
200mA 200mA
280 mW
BAV19
SOT-23 SOT-23, 23 A3 DIN 41869
3 3
BAS 20 BAS 20
JR A81
Siemens Valvo
Schaltdiode Schnelle Allzweckdiode
150V 150V
200mA 200mA
280 mW
BAV20
SOT-23 SOT-23, 23 A3 DIN 41869
3 3
BAS 21
JS
Siemens
Schaltdiode
200V
200mA
280 mW
SOT-23
3
rot rot/orange
PA JC JF
BA 479 G BA 479 S BA 482, BA 282 BA 483, BA 283 BA479G BA 479 S
BAS 33 BAS 34
330 mW 330 mW
0,25 W 0,25 W 0,25 W
250mA
330 mW
250mA
3
SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
Grenzwerte UR
IF
BAS 21
A 82
Valvo
BAV 21
Schnelle Allzweckdiode
250V*
200mA
BAS 28
JT
BAW62(x2)
85V*
250mA
BAS 29
L 20
90V
BAS 31
L 21
Valvo
BAX 12 A (x2)
Schaltdiode, Zweifach Zweifachdiode Diode speziell z. Schalten von induktiven Lasten Zweifach-Schalterdiode in Reihenschaltung, speziell zum Schalten induktiver Lasten
250mA
A61
Siemens Valvo Valvo
75V
BAS 28
BAS 32
L22
Valvo
BAW62
BAS 35 BAS 40
L22 43
BAX 12 A (x2)
BAS 40-04 BAS 40-05 BAS 40-06
44 45 46
BAS 56
L 51
Valvo Siemens Siemens Siemens Siemens Valvo
BAS 70 '"
73
BAS 70-04 BAS 70-05 BAS 70-06
74 75 76
BAS 70-07 BAT 17 BAT 18
77 A3 A2
BAV70 BAV70 BAV74 BAV99 BAV99
A4 A4 JA A7 A7
BAV100 BAV 101 BAV 102
grün/schwarz grün/braun grün/rot grün/orange A1
BAV 103 BAW56
Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens Valvo Valvo Siemens Vaivo Siemens Siemens Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
BAX12A
BAV 10
BA481 BA482 BAW62(x2)
BAW62(x2) BAV 18 BAV 19 BAV 20 BAV 21 BAW 62 (x2)
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
SOT-23, 23 A3 DIN 41869
3
SOT-143
10 10
250mA
SOT-143 SOT-23, 23 A3 DIN 41869
90V
250mA
SOT-23, 23 A3 DIN 41869
8b
Schalterdiode für schnelle logische Schaltungen
75V*
150mA
SOD-80
19
Zweifach-Schalterdiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Zweifach-Schalterdiode
90V 40V
250mA 100mA
SOT-23 SOT-23
6 3
40V 40V 40V
100mA 100mA 100mA
SOT-23 SOT-23 SOT-23
5 7 6
60 V 120V (in Serie) 70V
200mA 150mA 50mA
SOT-143
10
SOT-23
3
70V 70V 70V
50mA 50mA 50mA
SOT-23 SOT-23 SOT-23
5 7 6
70V 4V 35V
50mA 30mA 100mA
SOT-143 SOT-23 SOT-23
10 3 3
70V 70V* 50V 70V 70V*
250mA 250mA 250mA 250mA 250mA
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
7 7 7 5 5
60V* 120V* 200V*
250mA 250mA 250mA
SOD-80 SOD-80 SOD-80
19 19 19
250V* 70V*
250mA 250mA
SOD-80 SOT-23
19 6
Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky Mikrowellendiode Schottky-Diode f. UHF-Mischstufen VHF-Bereichsumschattung Schaltdiode Zweifachdiode Schaltdiode Schaltdiode Zweifach-Schaltdiode Allzweckdiode Allzweckdiode Allzweckdiode Allzweckdiode Zweifachdiode
Ptot
330 mW
330 mW 330 mW 330 mW
* Sperrspannung, Scheitelwert
3
Art, Verwendung
Grenzwerte UR
IF
Ptot
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
Siemens
Schaltdiode
50V
1000mA
1000mW
SOT-89
12
GB GC GO
Siemens Siemens Siemens
Schaltdiode Schaltdiode Schaltdiode
100V 200V 400V
1000mA 1000mA 1000mA
1000mW 1000mW 1000mW
SOT-89 SOT-89 SOT-89
12 12 12
BAW 79 A BAW 79 B
GE GF
Siemens Siemens
Schaltdiode Schaltdiode
50V 100V
1000mA 1000mA
1000mW 1000mW
SOT-89 SOT-89
13 13
BAW 79 C BAW 79 D
GG GH
Siemens Siemens
Schaltdiode Schaltdiode
200V 400V
1000mA 1000 mA
1000mW 1000mW
SOT-89 SOT-89
13 13
BAW 101
JP
Siemens
Schaltdiode
300V
200mA
280 mW
SOT-143
10 19 19 7
SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
BAW 78 A
6A
BAW 78 B BAW 78 C BAW 78 D
BB215 BB219 BB 404 A
weiß/grün weiß
BB 404 C BB 404 D BB 404 E BB510
CA
BB512 BB515
weiß weiß
BB601
BB622 BB623 BB629 BB631 BB721 BB723 BB729 BB730
gelb rot
UHF-Abstimmdiode VHF-Abstimmdiode Tuner-Diode
-
CT1/CT2 8,3 (£ 7,6) 12...15 1,65...1,75
in
Tuner- Diode
1,65...1,75
SOD-80 SOD-80 23 A3 («TO-236) n. DIN 41869 23 A3
ITT
Tuner-Diode
44. .. 45,5 p b. 2V
1,65... 1,75
23 A3
7
in in in
Tuner- Diode Tuner-Diode
45 ...46,5 p b. 2V 46. .. 47,5 p b. 2V
1,65... 1,75 1,65... 1,75
23 A3 23 A3
7 7
Tuner-Diode
440., 600 p b. 1V (UR=12V)
>15
23 A3
7
Siemens Siemens
Abstimmdiode Abstimmdiode
12V 30V
>15 8...9,6
SOD-123 SOD-123
14 14
in
Tuner-Diode
0,9... 1,2 p b. 2 8 V (UR = 32V)
S...9
«60A2
22
Siemens Siemens
Abstimmdiode Abstimmdiode Tuner- Diode
30V ^20 V 30V <20V 1,8...2,2pb. 2 8 V (UR = 32V)
CT1/CT2 >12,5 > 19,5 ...25 8. ..9,5
SOD-123 SOD-123 MmiMELF
14 14 19
Tuner-Diode Tuner-Diode Tuner-Diode Tuner-Diode
1,8 .. .2,5 p b. 2 8 V (UR = 32V) 1,9 .. .2,25 p b. 2 8 V 2,5... 3,2 p b. 28V (UR = 32 V) 3,15...3,55 p b. 2 8 V
7,3...9,5 9,5... 15 £12 19,5 ...25
MiniMELF MmiMELF MiniMELF MiniMELF
19 19 19 19
Tuner-Diode
2,0. . .2.29 p b. 28 V (UR = 35V)
>8
«60A2
22
Tuner-Diode Tuner-Diode Tuner-Diode
1,9...2,25pb. 28V 2,38. . .2,93 p b. 28 V (UR = 35V) 2,7 .. .2,9 p b. 2 8 V
9.5...15 >12 14,8 ...16,8
«60A2 «60A2 «60 A2
22 22 22
in in in in m in in in m
BB 405 B BB909
*
30V 20mA 30V 20mA 42...43,5pb. 2V 15V 43... 44,5 p b. 2V
in
BB 404 B
BB619 BB620 BB621
Valvo Valvo
Konventionell
<20mA ^20mA
7
SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
Grenzwerte UR
IF
Ptot
Gehäuse
Anschlüsse
Fig. CT1/CT2
BB731
in
Tuner- Diode
3,15...3,55b.28V
19,5... 2,5
«60A2
22
Abstimmdiode
30V
^20mA
7,8 ...9,5
SOT-23
3
BB304
Abstimmdiode
18V
<20mA
1,7
SOT-23
7
Valvo Valvo
BB 405 G
UHF-Diode SHF-Diode
28V 30V
20mA 20mA
5 >8
SOT-23 SOT-23
3 7
Siemens, Valvo
BB809
>5
BB801
UF
Siemens
BB804
SF
Siemens
BBY31 BBY39
S1 S12
BBY40
S2
VHF-Diode
28V
20mA
SOT-23
3
BBY42
Valvo
VHF-Diode
30V
20mA
SOT-23
3
BBY62
Valvo
UHF-Zweifach-Abstimmdiode
30V
20mA
SOT-143
10
LL 101 A
in
Schottkydiode
60V
400 mW
UF < 0,41 V
Mini-MELF
19
LL 101 B
in in in in in in in in in in in in in in m in in in in in in in
Schottkydiode
50V
400 mW
<0,4V
Mini-MELF
19
Schottkydiode Schottkydiode
40V 40V
400 mW 400 mW
< 0,39 V < 0,37 V
Mini-MaF Mini-MELF
19 19
Schottkydiode
30V
400 mW
< 0,37 V
Mini-MELF
19
Schottkydiode
20V
400 mW
< 0,37 V
Mini-MELF
19
Schottkydiode
10V
400 mW
< 0,45 V
Mini-MELF
19
Schottkydiode Schottkydiode
5V 10V
400 mW 400 mW
< 0,45 V < 0,45 V
Mmi-MELF Mini-MELF
19 19
Schottkydiode
5V
400 mW
< 0,45 V
Mini-MELF
19
Schottkydiode Schottkydiode
10V 5V
400 mW 400 mW
< 0,425 V < 0,425 V
Mini-MELF Mini-MELF
19 19
Allzweckdiode
100V
150mA
500mW
Mini-MELF
19
Allzweckdiode
100V
150mA
500 mW
Mini-MELF
19
Allzweckdiode
50V
200mA
500mW
Mmi-MELF
19
Allzweckdiode
75V
150mA
500mW
Mini-MaF
19
Allzweckdiode Allzweckdiode
40V 75V
150mA 150mA
400 mW 400 mW
Mini-MaF Mini-MaF
19 19
Allzweckdiode Allzweckdiode
35V 100V
150mA 150mA
500mW 500 mW
Mini-MELF Mini-MaF
19 19
Allzweckdiode
100V
150mA
500 mW
Mini-MELF
19
Allzweckdiode
100V
150mA
500mW
Mini-MaF
19
Allzweckdiode
100V
150mA
500 mW
Mini-MaF
19
LL 101 C LL 103 A LL 103 B LL 103 C LL 104 A •.LL 104 B LL 104 C LL 104 D LL104E LL104F LL 4148 LL 4149 LL4150 LL 4151 LL4152 LL 4153 LL4154 LL4446 LL4447 LL4448 LL4449
1 N 4148
1 N 4151
1 N 4154
1 N 4448
SMD-Type
Stempel Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
Grenzwerte UR
IF
P«
Gehäuse
Anschlüsse F'Q
LL4450
ITT
Allzweckdiode
40V
150mA
400 mW
MmiMELF
19
LL4451 LL4453 LL4454
ITT
Alizweckdlode Allzweckdiode Allzweckdiode
40V 30V
150mA 150mA 150mA
400 mW 400 mW 400 mW
MmiMELF
19
MmiMELF MimMaF
19 19
ITT ITT
75V
SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
UZV
lz mA
Toleranz
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
T7M/C 2 V 4
Kathode
Telefunken
Zenerdioden
Z-Dioden
2,4
5
2,28... 2,56V
SOD-80
19
TZM/C 2 V 7 TZM/C 3V0 TZM/C 3 V 3 TZM/C 3 V 6 TZM/C 3 V 9 TZM/C 4 V 3 TZM/C 4 V 7 TZM/C 5 V 1 TZM/C 5 V 6 TZM/C 6 V 2 TZM/C 6 V 8 TZM/C 7 V 5 TZM/C 8 V 2 TZM/C 9 V 1 TZM/C 10 TZM/C 11 TZM/C 12.. TZM/C 13 " TZM/C 15 TZM/C 16 TZM/C 18 TZM/C 20 TZM/C 22 TZM/C 24 TZM/C 27 TZM/C 30 TZM/C 33 TZM/C 36 TZM/C 39 TZM/C 43 TZM/C 47 TZM/C 51 TZM/C 56 TZM/C 62 TZM/C 68 TZM/C 75
mit Farbring
2,4 - 75 V 0,5 W
0,5 W von 2,4 - 75 V
2,7 3,0
55
3,3 3,6 3,9 4,3 4,7 5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75
5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5 2,5
2,5 ... 2,9 V 2,8 ... 3,2 V 3,1 ... 3,5 V 3,4 ... 3,8 V 3,7 ... 4,1 V 4,0 ... 4,6 V 4,4 ... 5,0 V 4,8 ... 5,4 V 5,2 ... 6,0 V 5,8 ... 6,6 V 6,4 ... 7,2 V 7,0 ... 7,9 V 7,7 ... 8,7 V 8,5 ... 9,6 V 9,4 ...10,6 V 10,4 ...11,6 V 11,4 ...12,7 V 12,4 ...14,1 V 13,8 ...15,6 V 15,3 ...17,1 V 16,8 ...19,1 V 18,8 ...21,2 V 20,8 ...23,3 V 22,8 ...25,6 V 25,1 ...28,9 V 2S...32 V 31 ...35 V 34...3S V 37 ...41 V 40...46 V 44 ...50 V 48... 54 V 52...60 V 5S...66 V 64...72 V 70...79 V
SOD-80
19
Telefunken
SMD-Type ZM4729
Stempel-Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
U2 V
lzmA
Gehäuse
Anschlüsse F'Q
ITT
Zenerdioden 3,6 - 100 V 1W
Z-Dioden 1W von 3,6 - 100 V Standard-Toleranz
3,6
69
MELF-
21
•30 O,3
4,3
64 58
Glasgehause
ist ±20% Zusatz „A" zur Typenbezeichnung bedeutet ±10% und Zusatz „B" ±5%
4,7 5,1 5,6
53 49 45
6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 11 12 13 15 16 18 20 22 24 27 30 33 36 39 43 47 51 56 62 68 75 82 91 100
41 37 34 31 28 25 23 21 19 17 15,5 14 12,5 11,5 10,5 9,5 8,5 7,5 7,0 6,5 6,0 5,5 5,0 4,5 4,0 3,7 3,3 3,0 2,8 2,5
ZM4730 2M4731 ZM4732 ZM 4733 ZM4734 ZM4735 ZM4736 ZM4737 ZM4738 ZM 4739 ZM 4740 ZM 4741 ZM 4742 ZM 4743 ZM4744 ZM 4745 ZM 4746 ZM 4747 ZM 4748 ZM 4749 ZM4750 ZM 4751 ZM 4752 ZM4753 ZM4754 ZM 4755 ZM 4756 ZM 4757 ZM4758 ZM 4759 ZM 4760 ZM 4761 ZM 4762 ZM 4763 ZM4764
ITT
MELFGlasgehause
21
SMD-Type
Stempel-Code
Hersteller
Konventionell
Art, Verwendung
Grenzwerte
'Durchlaß
Ptot
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
Usperr
Lumineszenzdioden LSS 260-DO
Siemens
superrot-LED
5V
30 mA
100 mW
SOT-23
9
LYS 260-DO LGS 260-DO
Siemens Siemens
gelb-LED grün-LED
5V 5V
30 mA 30 mA
100 mW 100 mW
SOT-23
9 9
LUS 250-DO LSS 269-BO LYS 269-BO LGS 269-BO
Siemens Siemens Siemens Siemens
superrot/grün-LED superrot-LED gelb-LED grün-LED
5V 5V 5V 5V
30 mA 7,5mA 7,5mA 7,5mA
200 mW 20 mW 20 mW 20 mW
SOT-23
TLMR 2200 TLMY 2200 TLMG 2200
Telefunken Telefunken Teiefunken
rot-LED gelb-LED grün-LED
2V 2,4V 2,4V
20 mA 20 mA 20 mA
UF
IFM
< 0,82 V* < 0,82 V*
80mA 200mA
GaAs Schottky-Dioden S 460 D S 465 D r-
Telefunken Telefunken
S 450 D S 455 D
Diodenring Doppeldiode
*bei IF = 10 mA
SOT-23
SOT-23
8 9 9
SOT-23
9
SOT-23 SOT-23
3 3
SOT-23
3
SOT-143
11a 8a
SOT-23
SOT-23
SMD-Type
BZD 27/C7V5 bis BZD 27/C270 BZV 49/C2V4 bis BZV 49/C75 BZV 55/C2V4 bis BZV 55/C75
BZX 84/C2V4 bis BZX 84/C75
Stempel-Code
Hersteller
Art, Verwendung
Grenzwerte
'Durchlaß
Usperr
Stempel:
BZV 49/C2V4 BZV 49/C2V7 BZV49/C3VC BZV 49/C3V3 BZV49/C3V6 BZV49/C3V9 BZV 49/C4V3 BZV 49/C4V7 BZV 49/C5V1 BZV 49/C5V6
Konventionell
Valvo Valvo
Zenerdioden Uz * 7,5 Silizium Implotec® Z-Dioden Uz * bis 270 V nach E24- 7,5 bis 270 V nach E24-Reihe Z-Dioden 2.4...75V/1W Reihe Zenerdioden 2,4... 75 V/1 W
Verlustleistung max. 2,3 W Toleranz der Durchbruchspannung AUz«±5% Verlustleistung max.1W Toleranz der Durchbruchspannung 5% Verlustleistung max. 0,5 W Toleranz der Durchbruchspannung 5%
p«
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
SOD-87 SOT-89
20 13
SOD-80
19
SOT-23
3
:2Y4 BZV 49/C6V2: 6Y2 BZV 49/C15: 15Y BZV 49/C36: 36Y : 2Y7 BZV 49/C6V8: 6Y8 BZV 49/C16: 16Y BZV 49/C39: 39Y :3YO BZV 49/C7V5: 7Y5 BZV 49/C18: 18Y BZV 49/C43: 43Y :3Y3 BZV 49/C8V2: 8Y2 BZV 49/C20: 20Y BZV 49/C47: 47Y : 3Y6 BZV 49/C9V1 : 9Y1 BZV 49/C22: 22Y BZV 49/C51 : 51 Y :3Y9 BZV49/C10:10Y BZV 49/C24: 24Y BZV 49/C56: 56Y : 4Y3 BZV 49/C1 1 : 1 1 Y BZV 49/C27: 27Y BZV 49/C62: 62Y :4Y7 BZV49/C12M2Y BZV 49/C30: 30Y BZV 49/C68: 68Y : 5Y1 BZV 49/C13: 13Y BZV 49/C33: 33Y BZV 49/C75: 75Y :5Y6
Valvo
Zenerdioden 2,4 ...75 Z-Dioden 2,4 ...75 V V/0,5 W
Valvo
Zenerdioden 2,4... 75 Z-Dioden 2,4... 75 V V/0,35 W
Stempel: BZX 84/C2V4: Z 1 1 BZX 84/C6V2: Z 4 BZX 84/C 15: Y 4 BZX 84/C 36: Y 13 BZX84/C2V7:Z12 BZX 84/C6V8: Z 5 BZX 84/C 16: Y 5 BZX 84/C 39: Y 14 BZX 84/C3VO: Z 13 BZX 84/C7V5: Z 6 BZX 84/C 18: Y 6 BZX 84/C 43: Y 15 BZX 84/C3V3: Z 14 BZX 84/C8V2: Z 7 BZX 84/C 20: Y 7 BZX 84/C 47: Y 16 BZX 84/C3V6: Z 15 BZX 84/C9V1 : Z 8 BZX 84/C 22: Y 8 BZX 84/C 51 : Y 17 BZX84/C3V9:Z16 BZX 84/C 10: Z 9 BZX 84/C 24: Y 9 BZX 84/C 56: Y 18 BZX 84/C4V3: Z 17 BZX 84/C 11: Y1 BZX 84/C 27: Y 10 BZX 84/C 62: Y 19 BZX 84/C4V7: Z 1 BZX 84/C 12: Y 2 BZX 84/C 30: Y 1 1 BZX 84/C 68: Y 20 BZX 84/C5V1 : Z 2 BZX 84/C 13: Y 3 BZX 84/C 33: Y 12 BZX 84/C 75: Y 21 BZX 84/C5V6: Z 3
Verlustleistung max. 0,35 W Toleranz der Durchbruchspannung ±5% U ±2% auf Anfrage
SMO-Type BYD17D
Stempel-Code
Hersteller Valvo
BYD17G BYD17J BYD17K BYD 17 M
Valvo
BYD 37 D
Valvo
BYD 37 G BYD 37 J BYD 37 K BYD 37 M BYD 77 A BYD 77 B BYD 77 C BYD 77 D BYD77E-BYD77F BYD 77 G
Konventionell
Art, Verwendung
Penod. Scheitelsperr-U
Durchlaßstrom Mittelwert
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
Gleichrichterdioden
200V
1,5 A
Periodischer
SOD-87
20
mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten (controlled avalanche)
400V 600V
Spitzenstrom 5,5 A
SOD-87 SOD-87
800V 1000V
1,5 A
Gleichrichterdioden
200V
1,5 A
Schnelle „sott recovery"-Diode
400V
Valvo Val
Valvo
YO
Epitaxial Gleichrichterdioden mit kontrolliertem Durchbruchsverhalten (controlled avalanche)
600V 800V 1000V
1,5 A
50V 100V 150V
2A 2A 2A
200V 250V 300V 400V
2A 1,85 A 1,85 A 1,85 A
SOD-87 SOD-87
Periodischer Spitzenstrom
SOD-87
12 A
SOD-87 SOD-87 SOD-87
SOD-87
Periodischer SOD-87 SOD-87 Spitzenstrom 15 SOD-87 A
13 A 13 A 13 A
SOD-87 SOD-87 SOD-87 SOD-87
20
SMD-Type
Stempel-Code
— —————— — _ ZMM1 ZMM 2,7 ZMM3 ZMM 3,3 ZMM 3,6
Mit Ring gekennzeichnet en Pol mit Minus verbinden
ZMM 3,9 ZMM4.3 ZMM 4,7 ZMM 5,1 ZMM 5,6 ZMM 6,2 ZMM 6,8 ZMM 7,5 ZMM 8,2 ZMM 9,1 ZMM 10 ZMM 11 ZMM 12 ZMM 13 ZMM 15 ZMM 16 ZMM 18 ZMM 20 ZMM 22 ZMM 24 ZMM 27 ZMM 30 ZMM 33 ZMM 36 ZMM 39 ZMM 43 ZMM 47 ZMM 51
Hersteller TT
ITT
Konventionell
Art, Verwendung
Z-Dioden 0,5 W
———— — ————— . — - —— - — — Z-Dioden 0,5 W Arbertsspannungen nach der internationalen E24-Reihe gestuft
U2 V
bei \z mA
0,7... 0,8 2,5... 2,9 2,8... 3,2 5 5 5 5 3,1...3,5
3,4...3,8 3,7... 4,1 4,0... 4,6 4,4. ..5,0 4,8 ...5,4 5,2... 6,0 5,8... 6,6 6,4 ...7,2 7,0... 7,9 7,7 ...8,7 8,5... 9,6 9,4... 10,6 10,4... 11,6 11,4 ...12,7 12,4 ...14,1 13,8... 15,6 15,3... 17,1 16,8... 19,1 18,8...21,2 20,8...23,3 22,8... 25,6 25,1. ..28,9 28 ...32 31 ...35 34 ...38 37 ...41 40.. 46 44 ...50 48 ...54
Gehäuse
Anschlüsse
Mir Gla
Fig. ii-MaF sgehäuse
19
5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 5 i
Mim-MaF
Glasgehause
19
SMD-Type
Stempel-Code
ZMM 746
Mit Ring ITT gekennzeichnet en Pol mit Minus verbinden
ZMM 747 ZMM 748 ZMM 749 ZMM 750 ZMM 751 ZMM 752 ZMM 753 2MM754 ZMM 755 ZMM 756 ZMM 757 ZMM 758 ZMM 759 ZMM 5226
Hersteller
Art, Verwendung
U2V
bei \z mA
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
Z-Dioden
Z-Dioden
3,3
20
Mini-MaF-
19
0,4 W
0,4 W Standard-Toleranz ±10%
3,6
20
Gehäuse
Zusatz „A" bedeutet ±5%
3,9 4,3 4,7
20 20 20
5,1 5,6 6,2 6,8 7,5 8,2 9,1 10 12
20 20 20 20 20 20 20 20 20
Mini-MELFGehäuse
19 19
ITT
in
ZMM 522? ZMM 5228 ZMM 5229 ZMM 5230 ZMM 5231 ZMM 5232 ZMM 5233 ZMM 5234 ZMM 5235 ZMM 5236 ZMM 5237 ZMM 5238 ZMM 5239 ZMM 5240 ZMM 5241 ZMM 5242 ZMM 5243
Konventionell
in
Z-Dioden
Z-Dioden
3,3
20
Mini-MELF-
0,5 W
0,5 W Standard-Toleranz ± 20%
3,6
20
Gehäuse
Zusatz „A" bedeutet ±10% Zusatz „B" bedeutet ±5%
3,9 4,3 4,7
20 20 20
5,1 5,6 6,0 6,2 6,8 7,5 8,2 8,7 9,1 10 11 12 13
20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 20 9,5
'
Mini-MELFGehäuse
19
SMD-Type
Hersteiler
Konventionell
Art, Verwendung
U2 V
bei \i mA
Gehäuse
Anschlüsse fiQ.
ITT
Z-Dioden
Z-Dioden
14
9,0
Mmi-MELF-
19
0,5 W
0,5 W Standard-Toleranz ±20%
15
8,5
Gehäuse
Zusatz „A" bedeutet ±10% Zusatz „B" bedeutet ±5%
16 17
7,8 7,4
ZMM 5248 ZMM 5249 ZMM 5250 ZMM 5251 ZMM 5252 ZMM 5253 ZMM 5254 ZMM 5255 ZMM 5256
18 19 20 22 24 25 27 28 30
7,0 6,6 6,2 5,6 5,2 5,0 4,6 4,5 4,2
ZMM 5257 ZMM 5258 ZMM 5259 ZMM 5260 ZMM 5261
33 36 39 43 47
3,8 3,4 3,2 3,0 2,7
Mmi-MaF-
ZMM 5262
rrr
51
2,5
Gehäuse
19
ZMY1
ITT
5
Glasgehäuse
100 100 100 100 100
MEI T
21 Der als Kathode bezeichnete Anschluß ist mit Minus zu verbinden.
5,8... 6,6 6,4 ...7,2 7,0...7,9 7,7 ...8,7 8,5 ...9,6 9,4 ...10,6
100 100 100 100 50 50
Glasgehäuse
10,4 ...11,6
50
MaF
ZMM 5244
Stempel-Code
ZMM 5245 ZMM 5246 ZMM 5247
1W
ZMY 3,9 ZMY 4,3 ZMY 4,7 ZMY 5,1 ZMY 5,6
ZMY 6,2 ZMY 6,8 ZMY 7,5 ZMY 8,2 ZMY 9,1 ZMY 10 ZMY 11
Z-Dioden
irr
Z-Dioden 0,65. ..0,75 1 W Arbeitsspannungen nach der 3,7 ...4,1 4,0... 4,6 4,4 internationalen Reihe E24 (ZMY) bzw. nach der internationalen Reihe E12 (ZMU) gestuft ...5,0 4,8 ...5,4 5,2... 6,0
F
21
SMD-Type
Hersteller
Konventionell
Alt, Verwendung
UZ V
bei Iz mA
Gehäuse
Anschlüsse Fig.
in
Z-Dioden
Z-Dioden
11,4 ...12,7
50
Glasgehäuse
21
1W
1 W Arbeitsspannungen nach der internationalen Reihe E24 (ZMY) bzw. nach der internationalen Reihe E12 (ZMU) gestuft
12,4 ...14,1 13,8... 15,8 15,3... 17,1 16,8... 19,1
50 50 25 25 MEt F
Der als Kathode bezeichnete Anschluß ist mit Minus
ZMY20
18,8... 21,2
25
zu verbinden.
ZMY22 ZMY24 ZMY27 ZMY30 ZMY 33 ZMY36 ZMY39 ZMY43 ZMY 47 ZMY51 ZMY 56 ... ZMY62 ZMY 68 ZMY 75 ZMY 82 ZMY 91 ZMY 100 ZMU100 ZMU120 ZMU150
20,8 ...23,3 22,8 ...25,6 25,1 ...28,9 28 ...32 31 ...35 34 ...38 37 ...41 40 ...46 44 ...50 48 ...54 52... 60 58 ...66 64... 72 70... 79 77 ...88 8S...96 94 ...106 88 ...110 107 ...134 130... 165
25 25 25 25 25 10 10 10 10 10 10 10 10 10 10 5 5 5 5 5
Glasgehäuse
160... 200
5
MaF
ZMY12
Stempel-Code
ZMY13 ZMY15 ZMY16 ZMY18
ZMU180
in
21
3.3 SMD-Einzeltransistoren und FETs SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementär Konventionell Grenz werte k Ptot mW Kennwerte B UCEO
IC/ÜCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anschl F.g
bei
mA
V BC 807-16
PNP
5A
S, V
BC 807-16 R
SAR
V
BC 817-16
BC 327-16
45
500
310
100-250
100/1
Für NF-
SOT-23
23
BC 807-25
PNP
5B
S, V
BC 807-25 R
5BR
V
BC 817-25
BC 327-25
45
500
310
160-400
100/1
Treiber und
SOT-23
23
BC 807-40 BC 808-16 BC 808-25 BC 808-40 BC 817-16
PNP PNP PNP PNP NPN
5C SB 5F 5G 6A
s, v s, v
BC 807-40 R BC 808-16 R BC 808-25 R BC 808-40 R BC 817-16 R
5CR 5ER 5FR 5GR 6AR
V V V V V
BC 817-40 BC 818-16 BC 818-25 BC 817-40 BC 807-16
BC 327-40 BC 328-16 BC 328-25 BC 327-40 BC 337-16
45 25 25 25 45
500 500 500 500 500
310 310 310 310 310
250-600 100-250 160-400 250-600 100-250
100/1 100/1 100/1 100/1 100/1
Endstufen
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23 23
BC 81 7-25 BC 817-40 BC 818-16
NPN NPN NPN
6B 6C 6E
BC 817-25 R BC 817-40 R BC 818-16 R
6BR 6CR 6ER
V V V
BC 807-25 BC 807-40 BC 808-16
BC 337-25 BC 337-40 BC 338-16
45 45 25
500 500 500
310 310 310
160-400 250-630 100-250
100/1 100/1 100/1
SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23
ßC 818-25 BC 818-40
NPN NPN
6F 6G
BC 818-25 R BC 818-40 R
6FR 6GR
V V
BC 808-25 BC 808-40
BC 338-25 BC 337-40
25 25
500 500
310 310
160-400 250-630
100/1 100/1
SOT-23 SOT-23
23 23
BC 846 A
NPN
1A
BC 846 AR
1AR
V
BC 856 A
BC 546 A
65
100
200
110-220
2/5
NF Vor-
SOT-23
23
BC 846 B
NPN
1B
BC 846 BR
1BR
V
BC 856 B
BC 546 B
65
100
200
200-450
2/5
und Treiber-
SOT-23
23
BC847A BC847B BC 847 C
NPN NPN NPN
1E 1F 1G
BC 847 AR BC 847 BR BC 847 CR
1ER 1FR 1GR
V V V
BC 857 A BC 857 B BC 857 C
BC 547 A BC 547 B BC 547 C
45 45 45
100 100 100
200 200 200
110-220 200-450 420-800
2/5 2/5 2/5
stufen
SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23
BC 848 A BC 848 B
NPN NPN
U 1K
BC 848 AR BC 848 BR
1JR 1KR
V V
BC 858 A BC 858 B
BC 548 A BC 548 B
30 30
100 100
200 200
110-220 200-450
2/5 2/5
SOT-23 SOT-23
23 23
BC 848 C BC 849 B BC 849 C BC 850 B BC 850 C BC 856 A BC 856 B BC 857 A BC 857 B BC 857 C BC 858 A BC 858 B
NPN NPN NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
1L 2B 2C 2F 2G 3A 3B 3E 3F 3G 3J 3K
BC 848 CR BC 849 BR BC 849 CR BC 850 BR BC 850 CR BC 856 AR BC 856 BR BC 857 AR BC 857 BR BC 857 CR BC 858 AR BC 858 BR
1LR 2BR 2CR 2FR 2GR 3 AR 3BR 3 ER 3 FR 3GR 3JR 3KR
V V V V
ßC 858 C BC 859 B BC 859 C BC 860 B BC 860 C BC 846 A BC 846 B ßC 847 A BC 847 B ßC 847 C BC 848 A BC 848 B
BC 548 C BC549B BC549C BC 550 B BC 550 C BC 556 A BC 556 B BC 557 A BC 557 B BC 557 C BC 558 A BC 558 B
30 30 30 30 30 65 65 45 45 45 30 30
100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100 100
200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200 200
420-800 200-450 420-800 200-450 420-800 125-250 220-475 125-250 220-475 420-800 125-250 220-475
2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23 23 23 23 23 23 23 23 23
S, V S, V
s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v
v v v v v v v v
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst
Grenz werte Ic Ptot mW UCE mA
Kennwerte B bei
IC/UCE m/W
Anwendung
Gehäuse
Anseht Fig
BC 558 C
30
100
200
420-800
2/5
NF Vor-
SOT-23
23
BC 559 A
30
100
200
125-250
2/5
und Treiber-
SOT-23
23
BC 559 B BC 559 C
30 30
100 100
200 200
220-475 420-800
2/5 2/5
stufen
SOT-23 SOT-23
23 23
Komplementär Konventionell
OV
BC 858 C
PNP
3L
S, V
BC 858 CR
SLR
V
BC 859 A
PNP
4A
S, V
BC 859 AR
4 AR
V
BC 859 B BC 859 C
PNP PNP
4B 4C
S, V S, V
BC 859 BR BC 859 CR
4BR 4CR
V V
BC 860 A
PNP
4E
V
BC 860 AR
4 ER
V
BC 560 A
45
100
200
125-250
2/5
SOT-23
23
BC 860 B
PNP
4F
S, V
BC 860 BR
4 FR
V
BC 850 B
BC 560 B
45
100
200
220-475
2/5
SOT-23
23
BC860C
PNP
4G
S, V
BC 860 CR
4GR
V
BC 850 C
BC 560 C
45
100
200
420-800
2/5
SOT-23
23
BC868
NPN
CAC
V
BC869
BC368
20
1000
1000
85-375
500/1
Für
SOT-89
25
BC869
PNP
CEC
V
BC868
BC369
20
1000
1000
85-375
500/1
Endstufen kiemer Leistung
SOT-89
25
BCF29
PNP
C7
V
BCF 29 R
C77
V
BC 559 A
32
100
350
120-260
2/5
Rausch-
SOT-23
23
BCF30
PNP
C8
V
BCF 30 R
C9
V
BCF 32
BC 559 B
32
100
350
215-500
2/5
SOT-23
23
BCF 32 BCF33
NPN NPN
D7 D8
V
BCF 32 R BCF 33 R
D 77 D81
V V
BCF 30
BC549B BC 549 C
32 32
100 100
350 350
200-450 420-800
2/5 2/5
arme NFVorstufenTransistoren
SOT-23 SOT-23
23 23
BCF 70
PNP
H7
BCF 70 R
H71
V
BC560B
45
100
350
215-500
2/5
SOT-23
23
BCF 81
NPN
K9
BCF 81 R
K91
V
BC 550 C
45
100
350
420-800
2/5
SOT-23
23
BCP51
PNP
AA
BCP52
PNP
AE
BCP53
PNP
AH
BCP54
NPN
BA
BCP55
NPN
BE
BCP56
NPN
BJ
BCP68
NPN
CA
BCP69
PNP
CE
BCV26
PNP
FD
BCV27
NPN
FF
v v v
BC848C
BC 849 B BC849C
v v v v v v
BCP54
45
1500
40-250
150/2
NF-
SOT-223
26
BCP55
60
1500
40-250
150/2
Transistor
SOT-223
26
BCP56
80
1500
40-250
150/2
SOT-223
26
BCP51
45
1500
40-250
150/2
SOT-223
26
BCP52
60
1500
40-250
150/2
SOT-223
26
BCP53
80
1500
40-250
150/2
SOT-223
26
v v
BCP69
20
1500
85-375
500/1
Endstufen
SOT-223
26
BCP68
20
1500
85-375
500/1
kleinerer
SOT-223
26
s, v s, v
BCV27
BC516
30
300
350
> 20000
100/5
Leistung Darlington
SOT-23
23
BCV26
BC517
30
300
350
> 20000
100/5
Darlington
SOT-23
23
SMD-Type
Art
Stemp Hersteller el-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementär Konventionell Grenz werte UCEO »c mA V
Ptor mW Kennwerte B bei
IC/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht
Fig
BCV61 A
NPN
D92
V
BCV 62
BC547
30
100
200
110-220
2/5
NF-Oszil-
SOT-143
27
BCV61B
NPN
093
V
BCV 62
BC547
30
100
200
200-450
2/5
lator Strom-
SOT-143
27
BCV 61 C BCV62A BCV 62 B BCV 62 C
NPN PNP PNP PNP
D94 C92 C93 C94
V V V V
BCV 62 BCV 61 BCV 61 BCV 61
BC547 BC557 BC557 BC557
30 30 30 30
100 100 100 100
200 200 200 200
420-800 125-250 220-475 420-800
2/5 2/5 2/5 2/5
spiegel
SOT-143 SOT-143 SOT-143 SOT-143
27 27(pnp) 27(pnp) 27(pnp)
BCV 63
NPN
V
BCV 64
45
100
300
110-800
Doppel-
SOT-143
28
BCV 63 B
NPN
V
BCV 64
45
100
300
200-450
Transistor
SOT-143
28
BCV 64
PNP
V
BCV 63
45
100
300
75-800
SOT-143
28
BCV 64 B
PNP PNP/ NPN PNP/ NPN
V
BCV 63
45
100
300
220-475
SOT-143
28
SOT-143
29 29
BCV 65 BCV 65 B
{
VV
30
Komplementarparchen
100 100 300
JPNP/NPN-| Pärchen
75-800 200-
300
475
60
100
350
110-220
2/5
Verstarker
SOT-23
23
60
100
350
200-450
2/5
und Schalter SOT-23
23
BC558A
32
100
350
120-260
2/5
NF-Tran-
SOT-23
23
BC 558 B
32
100
350
215-500
2/5
sistor
SOT-23
23
BCW 29 BCW 30
BC548A BC548B
32 32
100 100
350 350
110-220 200-450
2/5 2/5
SOT-23 SOT-23
23 23
BCW 61 A BCW 61 B BCW 61 C
BC548C BC54BA BC548B BC548B
32 32 32 32
100 200 200 200
350 150 150 150
420-800 120-220 180-310 250-460
2/5 2/5 2/5 2/5
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23
V
BCW 61 D
BC548C
32
200
150
380-630
2/5
SOT-23
23
V V
BCW 60 A BCW 60 B
BC558A BC558B
32 32
100 100
150 150
120-220 180-310
2/5 2/5
SOT-23 SOT-23
23 23
V
BCW 60 C BCW 60 D
BC 558 B BC 558 C
32 32
100 100
150 150
250-460 380-630
2/5 2/5
SOT-23 SOT-23
23 23
BCV 71
NPN
K7
V
BCV 71 R
K71
V
BCV 72
NPN
K8
V
BCV 72 R
K81
V
BCW 29
PNP
C1
V
BCW 29 R
C4
V
BCW 31
BCW 30
PNP
C2
V
BCW 30 R
C5
BCW 31 BCW 32
NPN NPN
D1 D2
V V
BCW 31 R BCW 32 R
04 02
BCW 33 BCW 60 A BCW 60 B BCW 60 C
NPN NPN NPN NPN
D3 AA AB AC
V V V V
BCW 33 R
06
v v v v
BCW 32
BCW 60 D
NPN
AD
BCW 61 A BCW 61 B
PNP PNP
BA BB
BCW 61 C BCW 61 D
PNP PNP
BC BÖ
v
30
SOT-143
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Hersl
Komplementär Konventionell
Grenz werte k Ptot mW Kennwerte B bei UCEO mA V
IC/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht.
Fig.
BCW 65 A
NPN
EA
S
32
800
330
100-250
100/1
NF-Tran-
SOT-23
23
BCW 65 B
NPN
EB
S
32
800
330
160-400
100/1
sistor
SOT-23
23
BCW 65 C BCW 66 F BCW 66 G BCW 66 H
NPN NPN NPN NPN
EC EF EG EH
S S S S
32 45 45 45
800 800 800 800
330 330 330 330
250-630 100-250 160-400 250-630
100/1 100/1 100/1 100/1
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23
BCW 69 BCW 70 BCW 71 BCW 72 BCW 81 BCW 89
PNP PNP NPN NPN NPN PNP
H1 H2 K1 K2 K3 H3
V V V V V V
BCW 69 R BCW 70 R BCW 71 R BCW 72 R BCW 81 R BCW 89 R
H4 H5 K4 K5 K31 H31
V V V V V V
BCW 71 BCW 72 BCW 69 BCW 70
BC 557 A BC 557 B BC547A BC547B BC547C BC556A
45 45 45 45 45 60
100 100 100 100 100 100
350 350 350 350 350 350
120-260 215-500 110-220 200-450 420-800 120-260
2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23 23 23
BCX17
PNP
T1
V
BCX 17 R
T4
V
BCX 19
BC327
45
500
425
100-600
100/1
NF-Tran-
SOT-23
23
BCX18 -
PNP
T2
V
BCX 18 R
T5
V
BCX 20
BC328
25
500
425
100-600
100/1
SOT-23
23
BCX19 BCX20
NPN NPN
U1 U2
V V
BCX 19 R BCX 20 R
U4 U5
V V
BCX 17 BCX 18
BC337 BC338
45 25
500 1000*
425 425
100-600 100-600
100/1 100/1
sistor und Schatter
SOT-23 SOT-23
23 23
BCX41
NPN
EK
S
125 800
330
£63
100/1
NF-Tran-
SOT-23
23
BCX42
PNP
DK
S
125 800
330
£63
100/1
sistor
SOT-23
23
BCX51
PNP
AA
V
45
1000
1000
40-250
150/2
SOT-28
25
BCX 51-6
PNP
AB
S
45
1000
1000
40-100
150/2
NF-Tran-
SOT-89
30
BCX 51-10
PNP
AC
S
45
1000
1000
63-160
150/2
sistor
SOT-89
30
BCX 51-16 BCX 52 BCX 52-6 BCX 52-10 BCX 52-16 BCX 53 BCX 53-6 BCX 53-10 BCX 53-16
PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP PNP
AD AE AF AG AM AH AJ AK AL
S V
45 60 60 60 60 80 80 80 80
1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
100-250 40-250 40-100 63-160 100-250 40-250 40-100 63-160 100-250
150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2
SOT-89
30
SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89
30 30 30 25 30 30 30
s s s v s s s
BCX 54
BCX 55
BCX 56
BC636
BC638
BC640
* Kollektorstrom, Scheitelwert
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
BCX54
NPN
BA
V
BCX 54-6 BCX 54-10 BCX 54-16 BCX 55 BCX 55-6 BCX 55-10 BCX 55-16 BCX 56 BCX 56-6 BCX 56- 10 BCX 56-16
NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN NPN
BB BC BD BE BF BG BM BH BJ BK BL
S
BCX 68 BCX 68-10 BCX 68-16
NPN NPN NPN
CA CB CC
BCX 68-25 BCX 69 BCX 69-10 BCX 69- 16 BCX 69-25
NPN PNP PNP PNP PNP
CD CE CE CG CH
BCX 70 G
NPN
AG
BCX 70 H BCX 70 J BCX 70 K BCX 71 G BCX 71 H BCX 71 J BCX 71 K
NPN NPN NPN PNP PNP PNP PNP
AH AJ AK BG BH BJ BK
BF 510 BF 511 BF 512
FET FET FET
S6 S7 88
BF 513
FET
S9
s, v s, v v s, v s, v s, v v s s, v s, v v s s s v s s s s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v s, v v v v V
Reverse
Code
Herst
Komplementär Konventionell
Grenz werte Ic Ptot mW Kennwerte B bei UCEO mA V
IC/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht F«g
BCX 51
45
1000
1000
40-250
150/2
NF-Tran-
SOT-89
25
45 45 45 60 60 60 60 80 80 80 80
1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000 1000
40-100 63-160 100-250 40-250 40-100 63-160 100-250 40-250 40-100 63-160 100-250
150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2 150/2
sistor
SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89
25 25 25 25 25 25 25 25 25 25 25
20 20 20
1000 1000 1000
1000 1000 1000
85-375 63-160 100-250
500/1 500/1 500/1
SOT-89 SOT-89 SOT-89
25 25 25
20 20 20 20 20
1000 1000 1000 1000 1000
1000 1000 1000 1000 1000
160-400 85-375 63-160 100-250 160-400
500/1 500/1 500/1 500/1 500/1
NF-Transistor für kleinere Endstufen
SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89
25 25 25 25 25
BC635
BCX 52
BC637
BCX 53
BC639
BCX 69
BC368
BCX 68
BC369
BCX 71 G
BC547A
45
100
330
120-220
2/5
NF-Tran-
SOT-23
23
BCX 71 H BCX 71 J BCX 71 K BCX 70 G BCX 70 H BCX 70 J BCX 70 K
BC547B BC547B BC547C BC 557 A BC 557 B BC 557 B BC 557 C
45 45 45 45 45 45 45
100 100 100 100 100 100 100
330 330 330 330 330 330 330
180-310 250-460 380-630 120-220 180-310 250-460 380-630
2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5 2/5
sistor
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23 23 23 23
Rauscharme SOT-23 N-KanalSOT-23 Sperrschicnt- SOT-23 FETs f HF SOT-23
31 31 31
UDS
ID
BF 410 A BF 410 B BF 410 C
20 20 20
30
BF 410 D
20
IDSS
250
0,7-3 mA 2,5-7 6-12 10-18
31
SMD-Type
BF 517
Art
NPN
Stempe Hersteller l-Code LR
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionel Grenz werte r l UCEO «c mA V
S
BF 536
PNP
G3
V
BF 550
PNP
G2
s, v
BF 550 BF 554
NPN
CG
BF 569
PNP
BF 569
15
25
IC/UCE mA/V
280
5/10
HF-Tr. fT=2GHz HF-Tr. fT=350MHz HF-Tr. fT=325MHz
£25
30
25
200
BF 450
40
25
£50
leiet. S
BF 440
25 20
25 30
200 (280) 200 280
F = 5 dB b. 10 V/mA f = 200 MHz 1/10
>50 £60
1/10 10/10
LH
S.Telef.
BF 970
35
30
280
£20
3/10
PNP
G6
S, V
BF 970
35
30
£20
3/10
BF 579
PNP
G7
V,T
BF 979
20
25
200 (280) 150
£20
10/10
BF 599
NPN
NB
S
25
25
280
£38
7/10
BF 620 "" BF 621
NPN NPN
DC DF
V V
BF 621 BF 620
BF 420 BF 421
300 300
50 50
1000 1000
£50 £50
25/20 25/20
BF 622 BF 623
NPN PNP
DA OB
V V
BF 623 BF 622
BF 422 BF 423
250 250
50 50
1000 1000
£50 £50
25/20 25/20
BF 660
PNP
G8
V
BF 606 A
30
25
200
BF 569 R
BF 660 R
G5
G 61
G 81
V
V
V
fT = 650 MHz 5/10
BF 660 BF 720 BF 721
PNP NPN PNP
LE DC DF
S V V
BF 721 BF 720
30 300 300
25 100* 100*
280 1500 1500
£30 £50 £50
0,7 GHz 3/10 25/20 fT £ 60 MHz 25/20 fT £ 60 MHz
BF 722 BF 723
NPN PNP
DA DB
V V
BF 723 BF 722
250 250
100* 100*
1500 1500
£50 £50
25/20 fT £ 60 MHz 25/20 fT £ 60 MHz
BF 767
PNP
G9
V
30
20
200
15
3/10 fT = 900MHz
BF 770 A
NPN
LS
S
12
50
280
£40
30/5 F = 2dB 800 MHz
BF 771
NPN
RB
S
12
80
300
£90
5/8 F = 1,7dB 800 MHz
BF 772
NPN
RA
S
12
80
300
£90
5/8 F = 1,6dB 800 MHz
BF 967
* Kollektorstrom, Scheitelwert
Gehäuse
Anschl. FiQ.
BF 936 BF 550 R
Anwendung
Ptot mW Kennwerte B bei
HF-Tr. fT=250MHz HF-Tr. fT=950MHz HF-Tr. fT=900MHz HF-Tr. fT=1,35GHz HF-Tr. fT=0,55GHz Video-BEndstuten
HF-Tr. VHF-Osz. Video-BEndstufen
UHF-U.VHFVorstufen HF fT = 5,5GHz HF fT = 3,5GHz HF fr = 3,5GHz
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23 SOT-23
23 23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-89 SOT-89
25 25
SOT-89 SOT-89
25 25
SOT-23
23
SOT-23 SOT-223 SOT-223
23 26 26
SOT-223 SOT-223
26 26
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-143
32
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionell Grenz werte Ic P« mW r UCEO mA V
Kennwerte B bei
IC/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht
Fig
BF 775
NPN
LO
S
12
30
280
£40
5/6 F = 2,1 dB 800 MHz
HF
SOT-23
23
BF 799
NPN
LK
S
20
35
280
£35
5/10 F = 3dB800MHz
HF fr1,16Hz
SOT-23
23
BF 820 BF
NPN
1V
BF 420
300
100*
310
£50 >50
23 23
1W
V
BF 820
BF 421
300 300
25 100*
335 310
£50
25/20 fT£60MHz 25/20 fT £ VideoEndstufe 60 MHz 25/20 fT £60 MHz
SOT-23
NPN PNP
V T
BF 821
820 S BF 821
SOT-23 SOT-23
23
BF 821 S BF 822
PNP NPN
1X
T V
BF 823
BF 422
300 250
25 100*
335 310
>50 £50
25/20 fT > 60 MHz 25/20 fT£60MHz
SOT-23 SOT-23
23 23
BF 822 S
NPN
250
25
335
>50
25/20 fT>60MHz
SOT-23
23
BF 823
PNP
BF 822
BF 423
250
100*
310
£50
25/20 fT£60MHz
SOT-23
23
BF 823 S
PNP
250
25
335
>50
25/20 fT>60MHz
SOT-23
23
BF 824 BF 840
PNP NPN
F8 F3
V V
BF 324 BF 240
30 40
25 25
300 300
£25 65-220
4/10 fT = 450MHz 1/10 fT = 380 MHz
AM/ZF
SOT-23 SOT-23
23 23
BF 841
NPN
F31
V
BF 241
40
25
300
35-125
1/10 fT = 380MHz
AM/FM-ZF
SOT-23
23
UDS
»DS
20
30
200
F = 1,6dB
7/15 200 MHz
N-Kanal MOS UHF
SOT-143
33
20
20
200
SOT-143
33
20
30
200
F * 2,8dB b 800 MHz F = 2,8dB b 800 MHz
SOT-143
33
SOT-143
33
SOT-143
33
SOT-143
33
T 1Y
V T
BF 989
FET
MA
Siemens
BF 989
FET
M 89
Valvo
BF 989
FET
BF 990
FET
M 90
Valvo
BF 980
18
30
200
F = 2,8dB b 800 MHz
BF 991
FET
M 91
Valvo
BF 981
20
20
200
N-Kanal MOS VHF
BF 992
FET
M 92
Valvo
BF 982
20
40
200
F = 2dB b 200 MHz F=1,2dB b 200 MHz
BF 992 T
FET
Telef
BF 982
20
30
200
N-Kanal MOS
SOT-143
33
BF 993
FET
ME
Siemens
20
50
200
F = 1,2dB b 200 MHz F = 1,5dB b 200 MHz
Tetrode
SOT-143
33
BF 994
FET
M94
Valvo
20
30
200
N-Kanal MOS VHF
SOT-143
33
BF 960
Telef
BF 964
F = 2,8dB b 200 MHz
10/15 200 MHz
SMD-Type
Art
Stempe Hersteiler l-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionell Grenz werte k Ptot mW Kennwerte B r bei mA UCEO
IC/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anschl. FiQ.
N-Kanal MOS
SOT-143
33
V
BF 994 S
FBI
BF 994 S
FET
BF 994 S
FET
BF 995
FET
BF 996
FET
BF 996 S
FET
BF 996 S
FET
BF 996 S
FET
UDS
lös
20
30
200
F = 1dB b. 200 MHz
20
30
200
N-Kanal MOS
SOT-143
33
BF 964 S
20
50
300
Tetrode
SOT-143
33
Telef.
BF 961
20
30
200
F = 1,5dB b. 200 MHz F = 1dB b. 200 MHz F = 2dB b. 200 MHz
N-Kanal MOS
SOT-143
33
M 96
Valvo
BF 966
20
30
200
33
Siemens
BF 966 S
20
30
200
N-Kanal MOS UHF N-Kanal MOS
SOT-143
MH
F = 2,8dB b. 800 MHz F = 1dB b. 800 MHz
SOT-143
33
20
30
200
SOT-143
33
20
30
300
N-Kanal MOS UHF
SOT-143
33
N-Kanal MOS
SOT-143
33
N-Kanal MOS
SOT-143
33
N-Kanal MOSU+V
SOT-143
33
N-Kanal MOS, SOT-143 Tetrode
33
N-Kanal MOS
SOT-143
33
N-Kanal MOSJedrode
SOT-23
31
MG
M 93
Siemens Telef. Telef.
BF 964 S
Valvo
Telef. M 95 MK
Valvo Siemens, Tel., Valvo Telef.
BF 997 -
FET
BF 997
FET
BF 997
FET
MK
Valvo
BF 998
FET
MO
BF 998
FET
Siemens, Telef. Telef.
LB
BF 966 S BF 965
UDS/ID
20
30
200
20
30
200
20
30
200
12
30
200
12
30
200
F = 2,8dB b. 800 MHz F = 1,8dB b. 800 MHz F=1dB b. 200 MHz
15/10
200 MHz
UDS/ID 15/10
UDS/ID 15/10
200 MHz
200 MHz
F = 1,5dB b. 200 MHz F = 1dB b. 200 MHz UDS/ID 8/10
200 MHz
100/10
HF-Tr. fr = 4GHz
SOT-223
44
Siemens
20
30
200
Valvo
18
150
1000
F = 0,6dB b. 200 MHz F = 1,3dB b. 800 MHz F = 1dB b. 200 MHz 140 (£25)
BFG 65
10
50
300
100
15/5
HF-Tr. fT = 7,5 GHz
SOT-143
45
Vaivo
BFR90A
15
25
300
90 (£40)
14/10
HF-Tr. fT = 5 GHz
SOT-143
45
Valvo
BFR 91 A
15
35
300
90 (£40)
14/10
HF-Tr. fT = 6 GHz
SOT-143
45
BF 999
FET
BFG35
NPN
BFG67
NPN
V3
Valvo
BFG 92 A
NPN
P8
BFG 93 A
NPN
R8
BF 988
UDS/ID 10/10
200 MHz
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionell Grenz werte Ic Ptot mW r mA UCEO
Kennwerte B bei
IC/ÜCE mA/V
Anwendung
90
70/10 Brertbandv.
HF-Tr.
Gehäuse
Anschl.
Fig.
V BFG97
NPN
Valvo
15
100
1000
(£25) 120 (£80) 100 (£40)
fT = 5,5 GHz HF-Tr. fT = 7 GHz HF-Tr. fT = 8 GHz
44
SOT-223
44
SOT-223
44
BFG 135
NPN
Valvo
15
150
1000
BFG 198
NPN
Valvo
10
100
1000
BFN16
NPN
DD
Siemens
250
50
1000
£50
25/20
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN17
PNP
DG
Siemens
250
200
1000
£40
30/10
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN18
NPN
DE
Siemens
300
200
1000
£30
30/10
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN19
PNP
DH
Siemens
300
200
1000
£30
30/10
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN20
NPN
DC
Siemens
300
50
1000
£40
25/20
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN21
PNP
DF
Siemens
300
50
1000
£40
25/20
HV-Tr.
SOT-89
30
BFN22
NPN
HB
Siemens
250
50
360
£40
25/20
HV-Tr.
SOT-23
23
BFN23
PNP
HC
Siemens
250
50
360
£50
25/20
HV-Tr.
SOT-23
23
FH
Siemens
250
200
360
£40
30/10
HV-Tr.
SOT-23
23
BFN24
M DM IM r IN
100/10
SOT-223
50/8
BFN25
PNP
FK
Siemens
250
200
360
£40
30/10
HV-Tr.
SOT-23
23
BFN26
NPN
FJ
Siemens
300
200
360
£30
30/10
HV-Tr.
SOT-23
23
BFN27
PNP
FL
Siemens
300
200
360
£30
30/10
HV-Tr.
SOT-23
23
BFQ17
NPN
FA
Valvo
25
150
1000
£25
150/5
SOT-89
25
BFQ17P
NPN
FD
Siemens
25
150
1000
SOT-89
30
BFQ18A
NPN
FF
Valvo
BFQ 34
15
150
1000
£25
100/10
SOT-89
25
BFQ19
NPN
FB
Valvo
BFR96
15
75
500
£25
50/10
SOT-89
25
BFQ 19 P
NPN
FE
Siemens
15
75
1000
F = 3,8dB
50/10
SOT-89
30
BFQ 19 S
NPN
FG
Siemens
15
75
1000
F = 2,8dB
50/10
SOT-89
30
BFQ 29 P
NPN
KC
Siemens
15
30
280
F = 1,8dB
4/6
HF-Tr. fT = 1,2 GHz HF-Tr. fr = 1,4 GHz HF-Tr. fT = 3,6 GHz HF-Tr. IT = 5,5 GHz HF-Tr. fT = 5,1 GHz HF-Tr. fT = 5,1 GHz HF-Tr. fT = 5 GHz
SOT-23
23
BFW16A
fT = 1,4GHz
800 GHz 800 GHz
SMD-Type (
Art
Stempe Hersteller l-Code
BFQ64
NPN
FC
BFQ67
NPN
V2
BFQ70
NPN
70
BFQ71
NPN
71
BFQ72
NPN
72
BFQ73
NPN
BFQ 73 S
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionel Grenz werte k Ptot mW r l UCEO mA V
Siemens
20
Valvo Telef Siemens
BFQ 65
200
Kennwerte B bei
IC/UCE mA/V
1000
10
50
180
>60
15/5
15
35
300
F = 1,5dB
4/6
Siemens Siemens
15
30
300
F = 1,5dB
2/6
0,8 GHz
15
50
350
F = 2,5dB
10/8
0,8 GHz
73
Siemens
15
75
500
F = 3,9dB
50/5
0,8 GHz
NPN
73S
Siemens
15
100
500
F = 3dB
50/5
0,8 GHz
BFQ74
NPN
74
Siemens
16
35
300
F = 2,5dB
10/10
BFQ 75
PNP
75
Siemens
12
50
350
F = 3dB
10/8
0,8 GHz
BFQ 76
PNP
76
Siemens
15
30
250
F = 2,5dB
4/10
0,8 GHz
BFQ 77
NPN
77
Siemens
15
20
250
F = 1,8dB
4/10
2 GHz
BFQ 81
NPN
RA
Siemens
16
30
280
F = 1,4dB
5/10
BFR30
FET
M1
BFR31
FET
M2
ID
Valvo
25
10
250
1-4 mS
Valvo
BFW12
25
10
250
1, 5-4,5 mS
NPN
Ge
Siemens
BFR53
NPN
N1
Valvo
BF 53 R
N4
V
BFR 92
NPN
P1
BFR 92 R
P4
V
BFR 92 A
NPN
P2
Telef, Valvo Valvo
BFR 92 AR
P5
V
BF 92
2 GHz
Gehäuse
Anseht F,g
HF-Tr
SOT-89
30
SOT-23
23
Cerec-X
34
Cerec-X Cerec-X
34
Cerec-X
34
Cerec-X
34
Cerec-X
34
Cerec-X
34
Cerec-X
34
Cerec-X
34
SOT-23
23
N-Kanal f Klemsignal
SOT-23
35
N-Kanal
SOT-23
35
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
fr = 3 GHz HF-Tr IT = 7,5 GHz HF-Tr fr = 5,2 GHz HF-Tr HF-Tr fT = 5,1 GHz HF-Tr fr = 4,9 GHz HF-Tr fr = 5,3 GHz HF-Tr fr = 6 GHz HF-Tr fr = 5 GHz HF-Tr fT = 5 GHz HF-Tr fT = 7 GHz HF-Tr fr = 5,8 GHz
34
Vor-Steilheit
UDS
BFW11
BFR 35 AP
0,8 GHz
Anwendung
b UDS 10 V, ID 1 mA undf = 1kHz
12
30
280
F = 1,5dB
2/6
BFW93
10
50
250
£25
25/5
BFR 90
15
25
200
£25
14/10
BFR 90
15
25
200
90 (£ 40)
14/10
f Klemsignal HF-Tr fT = 5 GHz HF-Tr fr = 2 GHz HF-Tr fT = 5 GHz HF-Tr fT = 5 GHz
l
SMD-Type
Art
Stemp Hersteller el-Code
BFR 92 P
NPN
GF
Siemens
BFR93
NPN
R1
Telef, Valvo
BFR 93 R
R4
V
BFR 93 A
NPN
R2
Valvo
BFR 93 AR
R5
V
BFR 93 P
NPN
6G
Siemens
BFR 101 A
FET
M 97 Valvo
BFR 101 B
FET
M 98 Valvo
BFS17
NPN
E1
BFS 17 A
NPN
E2
BFS 17 P
NPN
MC
BFS 19
Telef, Valvo Telef, Valvo
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionell Grenz werte Ic Ptot mW Kennwerte B r bei UCEO mA V
BFT93 X1
ICE/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anschl Fig
15
30
280
F = 1,5dB
2/6
HF-Tr fT = 5 GHz
SOT-23
23
BFR 91
12
35
200
£25
30/5
HF-Tr fT = 5 GHz
SOT-23
23
BFR 91
12
35
200
90 (^ 40)
30/5
HF-Tr fT = 5 GHz
SOT-23
23
15
50
280
F = 2,4dB
10/8
HF-Tr fT = 5 GHz
SOT-23
23
UD
ID
30
20
200
1,2 mS
SOT-143
36
30
20
200
2,5 mS
N-Kanal f Sourcefolger N-Kanal f Sourcefolger
SOT-143
36
HF-Tr fT = 1 GHz HF-Tr fT = 2,8 GHz HF-Tr fT = 2.5 GHz
SOT-23
23
SOT-23
23
SOT-23
23
HF-Tr fT=260MHz HF-Tr fr=450MHz
SOT-23
23
SOT-23
23
BFS 17 R
E4
V
BFW92
15
25
250
20-150
2/1
BFS 17 AR
E5
V
BFW92A
15
25
300
20-150
2/1
15
25
280
F = 3,8dB
2/5
Siemens Telef, Valvo
BFS 19 R
F5
V
BF 254 BF 494
20
30
250
65-225
BFS 20
NPN
G1
Valvo
BFS 20 R
G4
V
BF 199
20
25
250
£40
7/10
BFT25
NPN
V1
Valvo
BFT25R
V4
V
BF 24
5
2,5
50
40 (£ 20)
1/1
HF-Tr fT = 2,3 GHz
SOT-23
23
BFT46
FET
M3
Valvo
BFT92
PNP
W1
Valvo
BFT92R
W4
V
BFT93
PNP
X1
Valvo
BF 93 R
X4
V
BRY61
PNPN
A5
Valvo
UDS
ID
BFW13
25
10
250
1 mS
UDS = 10 V, UQS = 0 f =
1kHz
N-Kanal f Kleinsignal
SOT-23
35
BFR 92 P1
BFQ51
15
25
200
50 (£ 20)
14/10
HF-Tr fT = 5 GHz SOT-23
23
BFR 93 R1
BFQ23
12
35
200
50 (£ 20)
30/5
fT = 5GHz
SOT-23
23
UGA
IA
70
175
PUT
TriggerBauelement
SOT-23
37
BRY56
275
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
BRY62
PNPN
A51
Valvo
BSD 20
FET
M31
Valvo
BSD 22
FEI
M 32
Valvo
BSP15 BSP16 BSP19
PNP PNP NPN
BT1 BT2 AT1
BSP20 BSP 30
NPN PNP
AT2 BR1
BSP 31 BSP 32
PNP PNP
BR2 BR3
BSP 33 BSP 40 BSP 41 BSP 42 BSP 43
PNP NPN NPN NPN NPN
BR4 AR1 AR2 ARS AR4
Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
BSP 50
NPN
BSP 51 BSP 52 NPN NPN BSP 60 PNP BSP 61 PNP BSP 62 PNP
AS1 AS2 ASS BS1 BS2 BS3
BSR12
B5
Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
Reverse
Code
Hersl
Komplementä Konventionell Grenz werte Ic Ptot mW r mA UCEO V UGA
IA
70
175
UDS
ID
10
50
UDS
ID
20
BSP 19 BSP 20 BSP 15
BRY39
Kennwerte B be
ICE/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anschl.
Fig.
275
Trigger Bauelement (SCS)
SOT-143
38
230
N-Kanal MOS f. Chopper u. Schalter
SOT-143
39
50
230
SOT-143
39
200 300 350
1000 1000 1000
1500 1500 1500
30-150 30-120 £40
50/10 50/10 20/10
N-Kanal MOS f. Chopper u. Schalter Verstärker und Schalteranwendungen
SOT-223 SOT-223 SOT-223
26 26 26
BSP 16 BSP 40
250 60
1000 1000
1500 1500
£40 40-120
20/10 100/5
SOT-223 SOT-223
26 26
BSP 41 BSP 42
60 80
1000 1000
1500 1500
100-300 40-120
100/5 100/5
SOT-223 SOT-223
26 26
BSP 43 BSP 30 BSP 31 BSP 32 BSP 33
80 60 60 80 80
1000 1000 1000 1000 1000
1500 1500 1500 1500 1500
100-300 40-120 100-300 40-120 100-300
100/5 100/5 100/5 100/5 100/5
SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
26 26 26 26 26
BSP 60
45 60 80 45 60 80
1500*
1500
150/10 150/10 150/10
26
1500 1500 1500 1500 1500
£1000 £1000 £1000 £1000 £1000 £1000
SOT-223
1500* 1500* 1500* 1500* 1500*
SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223 SOT-223
26 26
ICM
BSR13 BSR14
PNP MDM iMrTN
NPN
U7
ue
Valvo Valvo
BSP 61 BSP 62 BSP 50 BSP 51 BSP 52
Darlington für Schalteranwendung en
150/10 150/10 150/10
26 26 26
BSR 12 R
B81
V
BSV52
2 N 2894A
15
100
250
30-120
50/1
Schalt-Transistor
SOT-23
23
BSR13R
U71 U81
V V
BSR 15 BSR 16
2 N 2222 2 N 2222A
30 40
800 800
425 425
100-300 100-300
150/10 150/10
Verstärker und Schalt-Transistor
SOT-23 SOT-23
23 23
BSR 14 R
* Kollektorstrom, Scheitelwert
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst Komplementär Konventionell Grenz werte UCEO «c mA V
Ptot mW Kennwerte B bei
ICE/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht
BSR 15
PNP
T7
BSR 16
PNP
T8
BSR 15 R BSR 16 R
T71
V
BSR 13
2 N 2907
40
600
425
100-300
150/10
verstarker und
SOT-23
23
T81
V
BSR 14
2 N 2907A
60
600
425
100-300
150/10
Schalt-Transistor
SOT-23
BSR 17 BSR 17 A
NPN NPN
U9 U92
23
BSR 17 R BSR 17 AR
U91 U93
V V
BSR 18 BSR 18 A
2 N 3903 2 N 3904
40 40
200 200
350 350
50-150 100-300
10/1 10/1
SOT-23 SOT-23
23 23
BSR 18 BSR 18 A
PNP PNP
T9 T92
BSR 18 R BSR 18 AR
T91 T93
V V
BSR 17 BSR 17 A
2 N 3905 2 N 3906
40 40
200 200
200 200
50-150 100-300
10/1 10/1
SOT-23 SOT-23
23 23
BSR 19
NPN
U35
BSR 19 A
NPN
U 36
Valvo Valvo
BSR 20
2 N 5550
140
600
350
60-250
10/5
23
2 N 5551
160
600
350
80-250
10/5
SOT-23
23
BSR 19 BSR 19 A
2 N 5400 2 N 5401
120 150
600 600
350 350
40-180 60-240
10/5 10/5
SOT-23 SOT-23
23 23
BSR40 AR1 BSR41 AR2
2 N 4030 2 N 4031
60 60
1000 1000
1000 1000
40-120 100-300
100/5 100/5
Verstarker und Schalter
SOT-89 SOT-89
25 25
BSR42 ARS
2 N 4032
80
1000
1000
40-120
100/5
SOT-89
25
BR4 AR1 AR2 ARS AR 4
Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
HV-Schalttransistor und Verstarkeranwendungen
SOT-23
BSR 20 A
BSR 20 BSR 20 A
PNP PNP
T35 T36
BSR 30 BSR 31
PNP PNP
BR1 BR2
BSR 32
PNP
BR3
BSR 33 BSR 40 BSR 41 BSR 42 BSR 43
PNP NPN NPN NPN NPN
BSR43 AR4 BSR30 BR1 BSR31 BR2 BSR32 BR3 BSR33 BR4
2 N 4033 BSX 46-10 BSX46-16 2 N 3020 2 N 3019
80 60 60 80 80
1000 1000 1000 1000 1000
1000 1000 1000 1000 1000
100-300 100-300 40-120 100-300 100-300
100/5 100/5 100/5 100/5 100/5
SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89 SOT-89
25 25 25 25 25
BSR 56 BSR 57
FET FET
M4 M5
Valvo Valvo
2 N 4856 2 N 4857
40 40
SOT-23 SOT-23
35 35
BSR 58 BSS63 BSS63
FET PNP PNP
M6 BM T3
2 N 4858
SOT-23 SOT-23 SOT-23
35 23 23
BSS64
NPN
U3
Valvo Siemens Vaivo Valvo
BSS79B
NPN
CE
BSS79C BSS80B BSS80C BSS81B BSS81 C
NPN PNP PNP NPN NPN
CF CH CJ CD CG
Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
RoS-em
UDS
250 250
<25Q <40ß
N-Sperr.-FET, Schalter, Meß Zerhacker
800 100
250 330 350
^60Q £30 £30
10/5 25/5
BSS63R
T6
V
BSS64 U3
BSS68
40 100 100
BSS64R
U6
V
BSS63 US
BSS38
80
250*
350
80 (£ 20)
10/1
SOT-23
23
Siemens
40
800
330
£35
10/10
Schalt-Transistor
SOT-23
23
Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens
40 40 40 35 35
800 800 800 800 800
330 330 330 330 330
£75 £40 £100 £35 £75
10/10 10/10 10/10 10/10 10/10
Schalt-Transistor Schalt-Transistor Schalt-Transistor Schalt-Transistor Schalt-Transistor
SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23 SOT-23
23 23 23 23 23
* Kollektorstrom, Scheitelwert
Verstarker und Schalter
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
Reverse
Code
Herst
Komplementär
Konventionel Grenz werte k Ptot mW Kennwerte B l bei UCEO mA V
ICE/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anseht
F«g
BSS82B
PNP
CL
Siemens
60
800
330
£40
10/10
Schall-Transistor
SOT-23
23
BSS82C
PNP
CM
Siemens
60
800
330
£100
10/10
Schalt-Transistor
SOT-23
23
UDS
ID
N-Kanal MOS P-Kanal SIPMOS
SOT-143 SOT-23
39 40
Schalteranw
BSS83 BSS84
FET FET
M 74 Valvo SP Siemens
10 50
50 130
230 360
RoSe,n
BSS87
FET
KA
240
280
1000
Rosem
6Q
N-Kanal SIPMOS
SOT-89
41
BSS123
FET
SA
100
170
360
Are m
6Q
N-Kanal SIPMOS
SOT-23
40
BSS131
FET
SR
240
100
360
RoSe,n
10 ß
N-Kanal SIPMOS
SOT-23
40
BSS138
FET
SS
50
200
360
ROSM
3,5 Q
N-Kanal SIPMOS
SOT-23
40
BSS139
FET
ST
250
40
360
RDSMI
100 Q
N-Kanal SIPMOS
SOT-23
40
BSS192
FET
KB
240
150
1000
RDSem
20 Q
P-Kanal SIPMOS
SOT-89
41
BST15
PNP
BT1
200
1000
1000
50/10
HV-Tranastor für
SOT-89
25
Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens Valvo
BST 40 AT2
2 N 5415
=£45ß
RDSe,n
30-150
100
BST 16 BST39 BST 40
PNP NPN NPN
BT2 AT1 AT2
Valvo Valvo Valvo
BST 39 AT1 BST 16 BT2 BST 15 BT1
2 N 5416
300 350 250
1000 1000 1000
1000 1000 1000
30-120 40-160 40-160
50/10 20/10 20/10
Verstarker und Schalter
SOT-89 SOT-89 SOT-89
25 25 25
BST 50
NPN
AS1
BSR50
45
1500*
1000
£1000
150/10
AS2
BST 61 BS2
BSR51
60
1500*
1000 *
£1000
150/10
BST 52 BST 60 BST 61
NPN PNP PNP
ASS BS1 BS2
BST 62 BS3 BST 50 AS1 BST 51 AS2
BSR52 BSR60 BSR61
80 45 60
1500* 1500* 1500*
1000 1000 1000
£1000 £1000 £1000
150/10 150/10 150/10
BST 62
PNP
BS3
Valvo Valvo Valvo Valvo
Darlington SOT-89 für SOT-89 Schaltanwendungen SOT-89 SOT-89 SOT-89
25
NPN
Valvo Valvo
BST 60 BS1
BST 51
BST 52 ASS
BSR62
80
1500*
1000
£1000
150/10
SOT-89
25
UDS
«DS
BST 70 A BST 72 A
80 80
500 175
1000 300
Rose,n 2Q RoSe,n
7ß
N-Kanal D-MOS N-Kanal D-MOS
SOT-89 SOT-23
42 43
BST 74 A BST 76 A
200 180
250 300
1000 1000
RoSem
6ß
RoSem
6ß
N-Kanal D-MOS N-Kanal D-MOS
SOT-89 SOT-89
42 42
60
300
1000
RDSem 4,5 ß
P-Kanal D-MOS
SOT-89
42
50
250
1000
RDSem 7,5 ß
P-Kanal D-MOS
SOT-89
42
BST 80 BST 82
FET FET
KM 02
BST 84 BST 86
FET FET
KN KO
BST 120
FET
LM
BST 122
FET
LN
Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo Valvo
25 25 25 25
Schnelle Schalter
* Kollektorstrom, Scheitelwert
SMD-Type
Art
Stempe Hersteller l-Code
BSV52
NPN B2
Valvo
CF930
FET
Telef.
Reverse
Code
Herst
Komplementä Konventionell Grenz werte Ic Ptot mW r UCEO mA V
Kennwerte B bei
ICE/UCE mA/V
Anwendung
Gehäuse
Anschl. Fig
BSV52R
B4
V
BSR 12-B5
40-120
10/1
Schneller Schalter
SOT-23
23
Dual Gate-M.
SOT-143
33
BSX20
CF300
12
100
UDS
ID
10
80
250
200
N-Kanal (MES-FET) PZT 2907
PNP P2B
Valvo
40
600
1500
£100
150/10
Schnelle Schalter
SOT-223
26
PZT2907A PZT 3904 PZT 3906
PNP P2F NPN P1A PNP P2A
Valvo Valvo Valvo
600 200 200
1500 1500 1500
£100 100-300 100-300
150/10 10/1 10/1
Schnelle Schalter Schnelle Schalter
SOT-223
26
PZT 3906 PZT 3904
60 40 40
Schnelle Schalter
SOT-223 SOT-223
26 26
PZTA13
NPN P1M
Valvo
PZTA63
30
300
1500
£5000
10/5
Darlington für
SOT-223
26
PZTA14
NPN P1N
Valvo
PZTA64
30
300
1500
£ 10000
10/5
Verstärker und Schalter
SOT-223
26
PZTA42
NPN P1D
Valvo
PZTA92
300 500
1500
£40
10/10
Verstärker und
SOT-223
26
PZTA43
NPN P1E
Valvo
PZTA93
200 500
1500
£40
10/10
Schalter
SOT-223
26
PZTA63
PNP P2U
Valvo
PZTA13
30
1500
£5000
10/5
Darlington
SOT-223
26
PZTA64
PNP P2V
Valvo
PZTA14
£ 10000
10/5
SOT-223
26
PZTA92 PZTA93
PNP P2D PNP P2E
Valvo Valvo
PZTA42 PZTA43
Verstärker und Schalter Verstarker und
Schalter
SOT-223 SOT-223
26 26
BCW 67 A
PNP DA
BCW 67 B BCW 67 C BCW 68 F BCW 68 G BCW 68 H
PNP PNP PNP PNP PNP
500
300 500 200 500
1500 1500
£40 £40
10/10 10/10
Siemens
32
800
330
100. ..250
100/1
NF-Transistoren
SOT-23
Siemens Siemens Siemens Siemens Siemens
32 32 45 45 45
800 800 800 800 800
330 330 330 330 330
160. ..400 250. ..630 100. ..250 160. ..400 250. ..630
100/1 100/1 100/1 100/1 100/1
NF-Transistoren NF-Transistoren NF-Transistoren NF-Transistoren
SOT-23
NF-Transistoren
SOT-23
Nachtrag
OB DC DF DG DH
SOT-23 SOT-23 SOT-23
3.4 Optoelektronische Bauelemente (Telefunken electronic) LEDs siehe Seite 59 und 82 Silizium NPN Fototransistor Typ
Kenngrößen
<* kHz
Ä
2)
mW
UCEO V
'CEO L/CE 20 /ca t/CE = 5V *P nm Vt?}^s V nA mA
70
70
<200
P«A Tarnt, <45°C
Gehäuse
Anschl.
Hinweise
SOT-23
46a
fg Grenzfrequenz
TEMT 2100 1)
200
±70°
L/s = 5 V, /c = 5 mA, RL = 100 Q;
2)
0,45
830
1,9/2,1
£e = 1 mW/cm2 Ap = 950 nm
Foto PIN Diode Typ
TEMD 2100 1)
StrahKenngrößen iungs/ro V empfind-
<10
Ee « 1 mW/cm2, Xp = 870 nm;
/ra
« 50 V f = 1 MHz PF
A/W
CD UR
nm I/R -
1*
Gehäuse
Anschl.
SOT-23
46 b
50 V
1,6 3)
870 nm;
0,2
0,6
930
I/BR Durchbruchspannung /ro
Sperrstrom
/ra Strom CD Diodenkapazität s (A) Absolute Empfindlichkeit
ns 2,5
Hinweise
2,5
f?L « 50 Q, Xp - 850 nm;
GaAs IR-Senderdiode Typ
Kenngrößen
TSMS 2100
±60°
/. b mW/sr
ei
1 P>0,4)
50
/F mA
aF
b
ei
V
1,4 «1,7)
50
/F mA
fr
ns 450
^ ns
xp
nm 450
950
Gehäuse
Anseht.
Hinweise
SOT-23
46 c
/e Strahlstärke /F Durchlaßstrom L/F Durchlaßspannung
Für LEDs (Telefunken)
L=LED's
Farbe R =Rot O = Orange Y =Gelb G = Grun V = Grün + Orange
9 =s vom System abweichend
Bauart für Serie 1 = Weiß, klar 2 = Emgefarbt klar 3 = Weiß, diffus 4 =Emgefarbt diffus 6 = Emgefarbt ganz diffus 7 = Emgefarbt teildiffus
0 8= Selektionstyp
3.5 Häufig verwendete SMD-ICs mit Pin-Belegung wie bei konventionellen ICs LF 356 M
Operationsverstärker mit J-Fet Eingang
SO-8
LM319M
Zweifach-Spannungskomparator
SO-14
LM 324 D
Vierfach-Operationsverstärker
SO-14
LM 324 AD
Vierfach-Operationsverstärker
SO-14
LM 339 D
Vierfach-Spannungskomparator
SO-14
LM 358 D
Zweifach-Operationsverstärker
SO-8
LM 393 D
Zweifach-Komparator
SO-8
LM 741 SMD
Universal-Operationsverstärker
SO-8
MC 1723 SMD Spannungsregler 3-37 V/0,15 A
SO-14
NE 555CFP
Timer
SO-8
NE556CFP
Zweifach-Timer
SO-14
NE 5534D
Rauscharmer Operationsverstärker
SO-8
NE 5539 D
Schneller Operationsverstärker
SO-14
82
TL 071 SMD
Operationsverstärker mit J-FET-Eingang
SO-8
TL 081 SMD
Operationsverstärker mit J-FET-Eingang
SO-8
TL 082 SMD
Zweifach-Operationsverstärker
SO-8
TL 084 SMD
Vierfach-Operationsverstärker
SO-14
>xA741CD
Universaloperationsverstärker
SO-8
|iA 747CD
Zweifach-Operationsverstärker
SO- 14
Weitere SMD-Spezial ICs
Gehäuse ähnlich
AnschlußFigur (Seite 87)
S 1531 -G
NF-Verstärker 1 - 1,7 V (Siemens)
P-DSO-8
11
TAA 762-G
Operationsverstärker Us ± 1,5 - ± 18 V, npnEingang
P-DSO-6
2
TAA 765-G
Operationsverstärker Us±1,5 - ±18 V, npnEingang
P-DSO-6
2
TAE1453-G
Op. m. pnp-Eingang U8 ± 1 - ± 18 V/ 70 mA
P-DSO-6
2
TAF1453-G
Op. m. pnp-Eingang U8 ± 1 - ± 18 V/70 mA
P-DSO-6
2
TAE 2453-G
Zweifach-Op. (-25...+85°C) m. pnp-Eingang
P-DSO-8
3
TAF 2453-G
Zweifach-Op. (-55...+125°C) m. pnp-Eingang
P-DSO-8
3
TAE 4453-G
Vierfach-Op. (-25...+ 85°C) m. pnp-Eingang
P-DSO-14
1
TAF 4453-G
Vierfach-Op. (-55...+ 125°C) m. pnp-Eingang
P-DSO-14
1
TBA221-G
Operationsverstärker mit Gegentaktausgang U S ±4...±18V(0... 70°C)
P-DSO-8
6
TBA 222-G
Operationsverstärker (-55 ... 125°C)
P-DSO-8
6
TBB0741-G
Operationsverstärker U8 ± 4 ... ± 18 V
P-DSO-8
5
TBB 0742-G
Operationsverstärker Us ± 4 ... ± 22 V
P-DSO-8
5
TBB 1458-G
Zweifach-Op. Us± 4. ..±18 V
P-DSO-8
3
TCA105-G
Schwellenwertschalter
P-DSO-6
8
TCA 332-G
Op. m. Darlingtoneingang Us ± 2 ... ± 15 V/70 mA, (-55 ... 125°C)
P-DSO-6
2
TCA 335-G
Op. m. Darlingtoneingang Us ± 2 ... ± 15 V/70 mA, (-25 ... 85°C)
P-DSO-6
2
TCA312-G
Komparator m. Darlingtoneingang U. ± 2 ... ± 15 V/70 mA, (-55 ... 125°C)
P-DSO-6
2
TCA315-G
Komparator (-25 ... 85°C), Us ± 2 ... ± 15 V
P-DSO-6
2
TCA 322-G
Komparator mit TTL-kompatiblem Ausgang
P-DSO-6
2
TCA 325-G
Komparator mit TTL-kompatiblem Ausgang
P-DSO-6
2
TDA 7050 T
NF-Stereoverstärker (s. Seite 42)
SOT-96 A
83
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87
Wirsum
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SMDs in der Hobbyelektronik
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Ein SMD-Baubuch und Halbleiterskript
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Die Oberflächen-Montagetechnik und die damit verbundene Mi niaturisierung der Bauteile eröffnen dem Hobby-Elektroniker und Techniker neue Anwendungsmöglichkeiten. Aber auch Probleme treten auf, die man lösen muß. Die Elektronikindustrie setzt auf SMD. Das kann dazu führen, daß es zukünftig bestimmte klas sische Bauteile nur noch als Mikrobauelemente, als SMDs, gibt. Ziel dieses Buches ist es, dem Leser das notwendige praktische -
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3 Rüstzeug für die nichtindustrielle Anwendung der SMD-Technikku vermitteln. Das geschieht auf mehrfache Weise in einer Dreiteilung: 1. Kennenlernen der SMD-Bauteile und Montagetechnik 2. Anwendungsbeispiele mit Printentwürfen 3. SMD-Halbleiter-Arbeitshilfe j c Das vermittelte praktische Wissen kann anhand der Anwendungs beispiele geübt und umgesetzt werden als Anregung zu kreativem Werken mit SMDs. *2 Der dritte Abschnitt des Buches umfaßt eine Kurzdatensammlung häufig vorkommender SMD-Halbleiter mit technischen Daten, Erkennungscodes, Gehäuseausführungen, Maßbilder und Anschlußbelegungen. Das Arbeitsbuch ist gerade auch durch diesen großen Teilbereich eine wertvolle Hilfe im Umgang mit SMDs.
