Министерство образования Российской Федерации Ульяновский государственный технический университет
Устройства приема и о...
19 downloads
334 Views
266KB Size
Report
This content was uploaded by our users and we assume good faith they have the permission to share this book. If you own the copyright to this book and it is wrongfully on our website, we offer a simple DMCA procedure to remove your content from our site. Start by pressing the button below!
Report copyright / DMCA form
Министерство образования Российской Федерации Ульяновский государственный технический университет
Устройства приема и обработки сигналов Методические указания по курсовому проектированию для студентов, обучающихся по специальности 200700 «Радиотехника»
Составители: Г.Ф.Афанасьев Е.Н.Воронцов
Ульяновск 2004
Рецензент д.т.н., профессор
Рекомендовано к изданию методического совета университета
Волгин Л.И.
секцией
учебно-методических
пособий
Устройства приема и обработки сигналов. Методические указания по курсовой работе для студентов направления 200700 «Радиотехника». /Сост. Г.Ф.Афанасьев, Е.Н.Воронцов. – Ульяновск: УлГТУ, 2004. - 30 с. Данные методические указания составлены в соответствии с учебной программой курса "Устройства приема и обработки сигналов" для специальности 200700. Излажены методика выполнения курсового проекта, правила составления пояснительной записки, требования к графической части. Даны рекомендации по выбору основных радиодеталей, график выполнения проекта, список литературы по проектированию устройств приема и обработки сигналов различного назначения. Приведенный материал может быть использован также для дипломного проектирования студентами специальности 200700.
© Афанасьев Г.Ф., Воронцов Е.Н., составление, 2004 © Оформление. УлГТУ, 2004
СОДЕРЖАНИЕ 1. ВВЕДЕНИЕ..................................................................................................................1 2. Объем работы и последовательность выполнения проекта....................................6 2.1. Предварительный расчет УПиОС...........................................................................6 2.2 Подробный расчет УПиОС.......................................................................................7 3. Составление пояснительной записки и некоторые правила ее оформления.........9 4. Требования к оформлению графической части проекта........................................12 5. Требования, предъявляемые при защите курсового проекта………………….....12 6. Рекомендации по выбору элементов УПиОС..........................................................13 7. Литература по проектированию УПиОС.................................................................17 8. Приложение 1.............................................................................................................22 9. Приложение 2………………………………………………………………….........23 10. Приложение 3...........................................................................................................24 11. Приложение 4...........................................................................................................25 12. Приложение 5...........................................................................................................26 13. Приложение 6...........................................................................................................27 14. Приложение 7...........................................................................................................28 15. Приложение 8...........................................................................................................29
1. ВВЕДЕНИЕ Курсовое проектирование призвано способствовать закреплению, углублению и обобщению знаний, полученных студентами в процессе обучения и применению этих знаний к комплексному решению конкретной инженерной задачи. Вместе с этим курсовое проектирование учит студента пользоваться справочной литературой (ГОСТами, ЕСКД, каталогами изделий, едиными нормами, таблицами, номограммами и т.д.), прививает навыки производства расчетов, составления технико-экономических записок, готовит студента к выполнению более сложной задачи - дипломному проектированию [1]. Курсовой проект по устройствам приема и обработке сигналов (УПиОС) выполняется после изучения основной части теоретического курса, выполнения лабораторного цикла, параллельно с практическими занятиями, призванными закрепить теоретические знания, полученные студентами на лекциях, углубить и расширить их, привить некоторые навыки в подходе к проектированию, производству инженерных расчетов и конструирования, что должно облегчить студенту выполнение проекта. Методические указания составлены с целью облегчения работы над курсовым проектом. Однако, Рекомендации его не могут охватить всех частных вопросов, встречающихся при проектировании УПиОС и их отдельных частей. Они направлены больше на решение организационных вопросов, определяющих объем проекта, требования к нему, организацию труда при проектировании, содержат информацию по выбору литературы, применению ЭВМ в расчетах, рекомендации по выбору радиодеталей УПиОС, некоторые правила составления пояснительной записки и оформления графической части проекта, а также порядок его защиты. В процессе проектирования студент может встретиться с множеством рекомендаций, встречающихся в литературе. Необходимо помнить, что подавляющее большинство их, особенно числовых, как правило, имеют ограниченное применение, поэтому студент должен вносить осмысленные поправки, обусловленные спецификой полученного задания, и обязан обращаться за консультацией к преподавателю всякий раз, как только возникнут сомнения по применимости тех или иных рекомендаций или формул в конкретных ситуациях. При курсовом проектировании следует стремиться к привлечению нескольких источников по каждому вопросу, т.к. одни и те же разделы в разных книгах излагаются с различной полнотой. Основными источниками являются [2-], остальные , как дополнительные. Исходными данными для выполнения проекта является техническое задание на проектируемое устройство. Выполнение проекта может быть разбито на ряд этапов: уточнение технического задания, составление структурной схемы, разработка принципиальной схемы и расчет ее элементов, в отдельных случаях - разработка конструкции или макета, оформление пояснительной записки и графической части. При выборе и обосновании структурной схемы устройства, необходимо хорошо представлять взаимосвязь технических характеристик отдельных каскадов или блоков с общими характеристиками устройства. Некоторые из требований, необходимые для расчета, могут быть опущены в задании. Они должны быть дополнены студентом самостоятельно, на основании соответствующих ГОСТов. В связи с этим целесообразно расчет разделить на две части: предварительный (эскизный) и окончательный. Предварительный расчет выполняется с целью определить состав структурной схемы, параметры отдельных каскадов, необходимость применения автоматических регулировок. Результаты этого расчета следует считать ориентировочными, и некоторые принятые решения при окончательном расчете могут быть пересмотрены. В окончательный расчет входит полный расчет электрического режима работы либо всех каскадов, либо тех, которые оговорены в техническом задании и их элементов. По полученным результатам составляется полная принципиальная схема спроектированного устройства. При проектировании следует максимально использовать унифицированные узлы и детали.
Регулярно, в установленные графиком дни, студенты в часы консультаций обязаны предъявлять руководителю проекта выполненную работу. 2. Объем работы и последовательность выполнения проекта. 2.1 Предварительный расчет УПиОС. Этот этап включает в себя изучение литературы и ГОСТов по теме проекта, уяснения соотношения параметров проектированного УПиОС с ГОСТом и с параметрами существующих УПиОС аналогичного назначения. На основе анализа требований технического задания производиться выбор недостающих данных и дается обоснование сделанному выбору. По требованию частотной точности осуществляется расчет необходимой полосы пропускания, выбирается промежуточная частота. Выбор структурной схемы зависит от многих факторов: от частоты сигнала, заданной чувствительности УПиОС, его назначения, вида оконечных устройств и др. Принципы составления структурных схем хорошо представлены в [2-6]. Этими источниками можно пользоваться при определении полосы пропускания главного тракта приема, числа каскадов, выбора типа и числа селективных систем промежуточной частоты, выбора типа усилительных приборов. Многие современные УПиОС характеризуются высокой реальной чувствительностью. Главным фактором, ограничивающим чувствительность. В диапазоне метровых и более коротких волн, являются собственные шумы УПиОС. Величины, необходимые для предварительного расчета реальной чувствительности УПиОС даны в [2,3,4]. При эскизном проектировании можно определить необходимость введения автоматических регулировок, материал о которых изложен в [48-52]. Механизмы и элементы настройки можно выбрать в [3,5,48,49,56]. Параметры усилительных элементов и указания по их применению имеются в большом числе справочных изданий, а также в ряде учебников и монографий [2,5,17,57-62 и др.]. 2.2 Подробный расчет УПиОС. Подробный расчет УПиОС начинается с составления его полной электрической схемы. В процессе этого этапа проектирования также может оказаться неизбежной корректировка состава принципиальной схемы. Для расчета входных цепей приемника потребуются сведения о применяемых конкретных антеннах. Данные антенн стационарных и переносных приемников ДВ, СВ и КВ диапазонов имеются в [5,21 и др.]. Методика расчета входных цепей приемников с ферритовыми антеннами наиболее подробно приведены в [2,5]. Расчет элементов преселектора приемников ДВ, СВ, и КВ диапазонов подробно изложены в литературе [2-20]. Особенности электрического расчета и конструкций преселекторов современных приемников СВЧ освещены в [2,22-35]. По данным расчета преселектора строятся графики избирательности по зеркальному каналу. Построение графиков можно производить машинным способом [53,54]. Расчет преобразователей частоты для радиоприемников различного назначения широко представлен как в учебниках, так и в монографиях [2-10,12,16-18,22,26 и др.]. Расчет сопряжения контуров гетеродина и входных цепей лучше производить графо-аналитическим методом по учебникам Боброва Н.В. Параметры транзисторов в режиме преобразования можно определить через его параметры в режиме усиления [2,13,17]. Порядок определения контуров промежуточной частоты изложен в [210,12,16,20,22,26,30,32 и др.]. Расчет усилителей промежуточной частоты и особенно построение частотной характеристики рекомендуется проводить с помощью ЭВМ. При использовании цифровых фильтров следует обратиться к литературе [45,47]. Расчет одноконтурных и двухконтурных полосовых УПЧ широко освещен в [2-10]. В случае, если получается нерационально большое число каскадов УПЧ (8-10), необходимо перейти на более эффективную схему усилителя с расстроенными контурами, с полосовыми
фильтрами. Методика расчета УПЧ и смесителей с многозвенными ФСС, а также УПЧ с нагрузкой в виде кварцевого, электромеханического или пьезокерамического фильтра подробно изложены в [3,5,10]. Проектирование ФСС Удобнее осуществлять с помощью ЭВМ. Расчет детекторов сигналов различной формы (АМ, ЧМ и импульсных) приведен в [210,16,22,35]. Достижение широкого динамического диапазона невозможно без применения автоматической регулировки усиления. Для точных расчетов система АРУ Необходимы параметры и характеристики транзисторов регулируемых каскадов, отсутствующие в справочных материалах, которые определяются экспериментальным путем. Ввиду этого, при курсовом проектировании необходимо использовать ориентировочные расчеты системы АРУ, методика которых изложена в [50-52]. В проектируемых радиоприемных устройствах с автоматической подстройкой частоты расчет системы АПЧ можно производить по методике, изложенной в [2,6,7,14,16]. Проектирование и расчет радиоприемных устройств для приема цифровых сигналов ведется по методике, приведенной в литературе для импульсных приемников. Кодирование аналоговых сигналов в цифровой форме, а также обратное преобразование приведено в [33-44]. ГОСТы на различные на различные типы радиоприемных устройств указаны в литературе [63-66]. Календарный график работы над курсовым проектом приведен в Приложении 1. 3. Составление пояснительной записки и некоторые правила ее оформления. Пояснительная записка к курсовому проекту должна быть написана от руки двух сторон листа формата А4 (210*297). При написании текста листы рамкой не обводятся. По всем сторонам листа необходимо оставлять поле: слева - 35 мм., справа - 10 мм., сверху и снизу - не менее 20 мм. Текст и формулы должны быть написаны тщательно и разборчиво. В общем виде записка содержит: - обложку; - титульный лист; - оглавление (содержание); - задание на курсовое проектирование; - основной текст; - список литературы; - приложения (в необходимых случаях). Образец обложки и титульного листа дан в приложении 2. Основной текст пояснительной записки должен дать исчерпывающее представление о проведенной работе, начиная с постановки задачи (во введении) до детального обоснования принятых решений (в основных главах), оценки результатов работы с точки зрения их соответствия требованиям задания и возможностей реализации (в заключении). Основной текст пояснительной записки включает в себя следующие разделы: - введение; - обзорная часть; - эскизный расчет; - электрический расчет; - конструктивный расчет; - заключение. В свою очередь в зависимости от объема и содержания разделы основного текста должны быть разбиты на соответствующие подразделы. Разделы и подразделы должны быть пронумерованы арабскими цифрами с точкой в конце, а подразделы - с промежуточной точкой, отделяющей номер раздела и подраздела. Нумерация страниц - сквозная, включая рисунки и таблицы, выполненные на отдельных листах, приложения и список литературы. В начале каждого раздела, содержащего расчет отдельного каскада, следует привести принципиальную схему данного каскада, а также характеристики усилительных элементов с
указанием их режимов (если это поясняет процесс расчета). Если в процессе работы над проектом производились громоздкие численные расчеты, например с выходом на ЭВМ, то результаты их должны помещаться в основном тексте, а подробности (машинная распечатка) выноситься в приложения с обязательной ссылкой на них. Расчеты следует излагать следующим образом: сначала записывается расчетная формула и ее расшифровка, а затем следует числовая подстановка. Результаты итоговых расчетов следует выписывать в виде отдельных равенств. В тех случаях, когда по ходу расчета несколько раз определяются одни и те же величины, результаты следует свести в таблицу. Сам расчет при этом не следует производить. Графический материал, относящийся к расчету каскада, можно выполнить на кальке или миллиметровой бумаге и вклеить в текст. При построении амплитудно-частотных и фазовых характеристик следует пользоваться логарифмическим масштабом. Иллюстрации в технической документации независимо от их содержания (схемы, графики и пр.) согласно ЕСКД называются чертежами и рисунками. Присылке следует писать сокращенно рис. Ссылаясь на таблицы, надо писать табл., а на страницы - стр. Никакие сокращения слов и названий, как правило, не допускаются, за исключением общепринятых сокращений - мер (только после количественных величин), физических и математических величин. Знаки №, %, sin, ∑, ln и др. применять только в сопровождении цифровых или буквенных знаков. Все таблицы оформляются согласно требований ЕСКД (ГОСТ 2.105-68). Формулы в тексте пронумеровать. Номер формулы проставляется в первом краю страницы в круглых скобках. В многострочной формуле номер формулы ставится против последней строки. Нумерацию формул рекомендуется делать по системе, аналогичной системе нумерации разделов. Ссылки на номера формул в тексте следует заключать в круглые скобки. Ссылки на литературные источники даются указанием порядкового номера в прямоугольных скобках. 4. Требования к оформлению графической части проекта Все чертежи выполняются в карандаше. Принципиальная схема спроектированного устройства выполняется на листе формата 24 в соответствии с ЕСКД. Перечень элементов схемы выполняется на том же листе, что и схема. При оформлении принципиальных схем устройства или отдельные части проектируемого радиоприемника, имеющие самостоятельные принципиальные схемы и не рассчитываемые в проекте (например, каскады УНЧ), могут быть изображены в виде прямоугольника или соответствующего графического обозначения с присвоением ему позиционного обозначения и записаны в перечне как одна позиция. При необходимости в изображающих их прямоугольниках допускается помещать структурные или функциональные схемы этих устройств, а также полностью или частично повторять их принципиальные схемы без записи элементов в перечень. Структурная или функциональная схемы выполняются на листе формата 22. Представление на защиту функциональной схемы более предпочтительно, так как она позволяет полнее проиллюстрировать принцип работы приемника, обладает большой информативностью по сравнению со структурной схемой и служит основным документом, по которому студентом строится доклад. 5. Требования, предъявляемые при защите курсового проекта. Пояснительная записка и чертежи должны быть в установленные графиком сроки представлены для проверки руководителю, который в соответствии с качеством выполненных работ принимает решение о допуске к защите. Защита проекта проводится перед комиссией в дни и часы, назначенные кафедрой.
На защите студент должен в течении 6 - 8 минут четко и ясно изложить основные соображения, определившие состав схемы и характеристики приемника, выбор его элементов и конструкции. Отправным пунктом при составлении доклада является задание на проект. Студент должен: - знать назначение всех элементов и узлов схемы, физические основы их работы и принципы расчета; - уметь показать взаимосвязь между величинами элементов схемы и характеристиками приемника; - знать какие изменения претерпевает сигнал в каждом участке схемы приемника, уметь показать эти изменения на спектральных и временных диаграммах иметь представление об области применения спроектированного приемника. В заключение должна быть подчеркнута степень соответствия показателей спроектированного приемника требованиям задания. 6. Рекомендации по выбору элементов УПиОС. Основными элементами, используемыми в УПиОС, являются постоянные и переменные резисторы, конденсаторы постоянной и переменной емкости, подстрочные конденсаторы, катушки индуктивности, усилительные приборы, я также рад специальных элементов для УПиОС СВЧ-диапазона. Выбор типоразмеров элементов рекомендуется проводить одновременно с расчетом их электрических параметров. При выборе номиналов конденсаторов и резисторов расчетные величины их следует округлять до ближайших номинальных значений, учитывая существующие допуски. Наряду с величиной резистора или конденсатора необходимо учитывать мощность, рассеиваемую на резисторах, напряжение на конденсаторах, требования к стабильности параметров, размеры и стоимость. Использование устаревших типов деталей (резисторы типа СС, ТО, ТВО, ВС, конденсаторы типа КОС, КБ, МКВ) не допускается. В качестве постоянных резисторов рекомендуется применять непроволочные резисторы типа МЛТ, ММЛТ, УЛМ. В качества переменных - непроволочные резисторы типа СП, СПО, ТК и др. Выбор типов резисторов должен быть обоснован расчетом их рассеиваемой мощности Рекомендации по выбору классов резисторов различных цепей приемников в условиях серийного и массового производства приведены в табл.1 Таблица 1. № Место включения резистора в схеме | Классы точности п/п приемника 1 2 3 1 Цепи, определяющие частотную + характеристику, корректирующие + цепи и цепи обратной связи 2 Цепи автосмещения, управляющей + + сетки гетеродина, экранных сеток ламповых усилителей, термостабилизации, делители напряжения 3 Развязывающие фильтры цепей + + питания, цепи управляющей сетки ламповых усилителей Шкала номинальных значений постоянных непроволочных резисторов с допусками отклонений от номинала представлена в Приложении 3.
Выбор конденсаторов постоянной и переменной емкости для приемника зависит от цепи, в которую они входят (колебательные контуры, фильтры, делители напряжения и т.д.). При разработке высокочастотных каскадов приемников необходимо учитывать, что конденсаторы, особенно электролитические, обладают некоторой индуктивностью (у ЭТО она небольшая), которая увеличивает их сопротивление в области высоких частот. Поэтому электролитические конденсаторы, стоящие в высокочастотных цепях и даже в фильтрах цепей питания, необходимо шунтировать конденсаторами небольшой емкости с минимальной собственной индуктивностью (КСО, КТ, КМ и др.). Для высокочастотных контуров рекомендуется выбирать конденсаторы с малыми потерями и высокой температурной стабильностью (керамические конденсаторы группы ТКЕ: М, Д и др., а также стеклоэмалевые). В качестве сопрягаемых емкостей используются керамические и иногда слюдяные (группа ТКГ: Г). В качестве конденсаторов связи в ВЧ каскадах можно использовать слюдяные, керамические (группа ТКЕ: М, Р и др.) и стеклоэмалевые конденсаторы. В качестве построечных конденсаторов рекомендуется применять конденсаторы типа КПК, КПК-М, КПКТ. Рекомендации по выбору конденсаторов по классам точности приведены в табл.2. Шкалы номинальных значений емкостей с допусками отклонений от номинала представлены в Приложениях 3 - 6. Таблица 2. № п/п 1 2
Место включения конденсатора в схеме приемника Разделительные
Классы точности конденсаторов 00 и 0 1 2
3
-
-
+
+
-
+
-
-
-
+
-
-
5
В цепях коррекции частотной характеристики Контурные Сопряжение контуров ДВ и СВ КВ СВЧ Емкостные делители
+ -
+ + +
+ + +
-
6
Блокировочные
-
-
-
+
3 4
Разрабатывая нестандартные моточные элементы (дроссели, контурные катушки), рекомендуется применять стандартные сердечники и унифицированные каскады. В Приложении 7 дан перечень некоторых государственных стандартов ЕСКД и действующих СТ СЭВ ЕСКД на 1.01.2003. 7. Литература по проектированию УПиОС. 1. Высшая школа. Сборник основных постановлений, приказов и инструкций. 4.1., М.: Высшая школа, 1978. 2. Проектирование радиоприемных устройств. Под общей редакцией А.П.Сиверса. - М.: Советское радио, 1976. 3. Горшелев В.Д., Красноцветова З.Г., Федорцев Г.Ф. Основы проектирования радиоприемников, - Л.: Советское радио, 1976. 4. Бобров Н.В., Радиоприемные устройства. - М.: Советское радио. 1976. 5. Богданович Б.М., Окулич Н.Ч. Радиоприемные устройства: Учебное пособие. Под ред. Богдановича Б.М. - Минск: Высшая школа, 1991.
6. Фомин Н.Н.,Буга Н.Н. и др. Радиоприемные устройства. Под ред. Фомина Н.Н. - М.: 1996. 7. Радиоприемные устройства. Под ред. А.П.Жуковского - М.: Высшая школа; 1989. 8. Палшков В.В. Радиоприемные устройства: Учебное пособие - М.: Радио и связь, 1984. 9. Радиоприемные устройства (В.Н.Банков, Л.Г.Барулин и др. Под ред. Л.Г.Барулина. - М.: Радио и связь,1984. 10. Буга Н.Н., Фалько А.И., Чистяков Н.И. Радиоприемные устройства. - М.: Радио и связь, 1986. 11. Проектирование радиолокационных приемных устройств. Под ред. М.А.Соколова. - М.: Высшая школа, 1984. 12. Голубев В.Н. Оптимизация главного тракта приема РПРУ. - М.: Киев, 1982. 13. Музыка Э.М. Чувствительность радиоприемных устройств на полупроводниковых приборах. - М.: Радио и связь, 1981. 14. Сборник задач и упражнений по курсу "Радиоприемные устройства": Учебное пособие. Под ред. В.И.Сидорова. - М.: Радио и связь, 1984. 15. Трохименко Я.К., Любич Ф.Д. Радиотехнические расчеты на микрокалькуляторах: Справочное пособие. - М.: Радио и связь, 1983. 16. Белкин М.К. Справочник по учебному проектированию приемоусилительных устройств. Под ред. Белкина М.К. - Киев: Высшая школа, 1982. 17. Калихман С.Г., Левиин Н.М. Радиоприемники на полупроводниковых приборах. Теория и расчет. - М.: Связь. 1979. 18. Радиоприемные устройства. Под ред. В.И.Сифорова. - М.: Советское радио, 1974. 19. Радиоприемные устройства. Под ред. А.Г.Зюко. - М.: Связь, 1975. 20. Чистяков Н.И., Сидоров В.М. Радиоприемные устройства. - М.: Связь, 1974. 21. Рябиков В.Ф. Радиоприемные устройства. - М.: Советское радио, 1972. 22. Бобров Н.В. Радиоприемные устройства.- М.: Советское радио, 1971. 23. Перцев С.В., Шуцкой К.А. Входные цепи радиоприемников. - М.: Энергия, 1973. 24. Музыка Э.Н., Пустоверов В.Е, Синицкий Б.Г. Расчет высокочастотных каскадов радиоприемных устройств на транзисторах. - М.: Энергия, 1975. 25. Чистяков Н.И. Радиоприемные устройства. - М.: Советское радио, 1978. 26. Каскады радиоприемников на полевых транзисторах. Под ред. Н.Г. Петрова. - М.: Энергия, 1974. 27. Галкин В.Н. Полевые транзисторы в чувствительных усилителях. - Л.: Энергия, 1974. 28. Симонов Ю.П. Усилители промежуточной частоты. - М.: Советское радио, 1973. 29. Руденко В.М., Халянин Д.Б., Магнушевский В.Р. Малошумящие входные цепи СВЧ приемных устройств. - М.: Связь,1973. 30. Клич С.М. Проектирование СВЧ устройств радиолокационных приемников. - М.: Советское радио, 1973. 31. Белов И.Ф. Справочник. - М.: Радио и связь, 1996. 32. Воинов Б.С. Широкодиапазонные колебательные системы СВЧ. - М.: Советское радио, 1974. 33. Рабинер Л., Гоулд Б. Теория и применение цифровой обработки сигналов. - М.: Мир, 1978. 34. Прагер Э., Шимск Б., Дмитриев В.П. Цифровая техника в связи. - Под ред. В.В. Маркова. - М.: Радио исвязь,1981. 35. Калабеков Б.А. Применение ЭВМ в инженерных расчетах в технике связи. - М.: Радио и связь, 1981. 36. Диоды и тиристоры. Под ред. А.А. Чернышова. - М.: Энергия, 1975. 37. Белов И.Ф., Дрызго Е.В. Справочник по танзисторным радиоприемникам, радиолампам и электрофонам. 4.1. - М.: Советское радио, 1976. 38. Аналоговые и цифровые интегральные схемы. Под ред. С.В. Якубовского. - М.: Советское радио, 1979.
39. Аналоговые интегральные микросхемы. Справочник. - М.: Радио и связь, 1981. 40. Справочник по полупроводниковым диодам, транзисторам и интегральным схемам. Изд-е 4-е. Под общей ред. Н.Н. Горюнова. - М.: Энергия, 1977. 41. ГОСТ 5651-76. Приемники радиовещательные. Общие технические условия. 42. ГОСТ 20842-75. Приемники радиовещательные, стереофонические. 43. ГОСТ 17692-72. Приемники радиовещательные, автомобильные. 44. ГОСТ 7845-72. Телевидение черно-белое. Основные параметры системы телевизионного вещания. 45. ГОСТ 18198-72. Телевизоры черно-белого изображения. Основные параметры. 46. ГОСТ 21042-75. Телевизоры цветного изображения.
Приложение 1. КАЛЕНДАРНЫЙ ГРАФИК РАБОТЫ над курсовым проектом по устройствам приема и обработки сигналов. Общий объем самостоятельной работы 40 часов в течении 10 недель из расчета в среднем 4 часа в неделю. Содержание работы
Выпол N нед. %
Ознакомление с заданием. Выбор недостающих данных. Подбор литературы.
10
Изучение литературы, определение полосы пропускания, коэффициента усиления приемника, составление структурной схемы, выбор промежуточной частоты, написание обзорной части.
20
1 2,3 проверка на 3 нед.
Составление принципиальной схемы, выбор усилительных элементов, определение требований на каждый каскад, выбор элементов коммутации и перестройки.
20
4,5 проверка на 5 нед.
Расчет элементов принципиальной схемы. Расчет результирующих характеристик отдельных каскадов и приемника в целом, проверка возможностей реализации приемника. Корректировка схемы.
30
6,7,8 проверка на 7 нед.
Разработка конструкции. Оформление рисунков, пояснительной записки и графической части проверка проекта.
20
9, 10 проверка на 9 н.
100
11 нед.
Сдача проекта на проверку. Защита проекта.
Приложение 2. Ульяновский Государственный Технический Университет Кафедра "Радиотехника"
КУРСОВОЙ ПРОЕКТ ПО УСТРОЙСТВАМ ПРИЕМА И ОБРАБОТКЕ СИГНАЛОВ
Выполнил студент гр. РТд Руководитель проекта
Ульяновск 2003
Приложение 3. Шкала номинальных значений сопротивлений и допустимых отклонений от номиналов непроволочных постоянных резисторов (Ом, кОм, МОм) и емкостей постоянных конденсаторов (пФ, нФ) массового производства. 20%
10%
1,1
1,1
1,1 1,1
1,2
1,2 1,3
1,5
1,5 1,6
1,8
1,8 2,0
2,2
2,2 2,4
2,7
2,7 3,0
3,3
3,3 3,6
3,9
3,9 4,3
4,7
4,7 5,1
5,6
5,6 6,2
6,8
6,8 7,5
8,2
8,2 9,1
1,5
2,2
3,3
4,7
6,8
5%
20%
10%
5%
20%
10%
10
10
10 11
100
100
100 110
12
12 13
120
120 130
15
15 16
150
150 160
18
18 20
180
180 200
22
22 24
220
220 240
27
27 30
270
270 300
33
33 36
330
330 360
39
39 43
390
390 430
47
47 51
470
470 510
56
56 62
560
560 620
680
680 750
15
22
33
47
68
68
68 75
82
82 91
150
220
330
470
680
5%
820 910
Примечание: Все непроволочные резисторы массового производства выпускают на номинальную мощность 0,125; 0,25; 0,5; 1; 2
Приложение 4. Шкала номинальных значений емкостей постоянных конденсаторов (кроме электролитических) массового производства (мкФ). 1 2 3 0,01* 0,1 1,0 0,12 0,015* 0,15 1,5 0,018 0,022* 0,22 2,2 0,027 0,033* 0,33 3,3 0,039 0,047* 0,47 4,7 0,056 0,068* 0,68 6,8 0,082 -
4 10 15 22 33 47 68 -
Примечания: 1. Конденсаторы, номиналы которых отмечены в графе 1 звездочкой, выпускаются с допуском 20%, 10%, 5%, а остальные - с допуском 10%, 5%. 2. Конденсаторы, номиналы которых отмечены в графах 2,3,4, выпускаются с допуском 20%, 10%, 5%.
Приложение 5. Электролитические конденсаторы типов К50-3, К50-6, К50-7 Номинальное напряжение, В Ёмкость, пФ К50-3 6 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000, 5000 12 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000 25 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000 50 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200 100 1, 2, 5, 10, 20, 50 160 5, 20, 50, 100 250 50, 100 300 5, 20, 50, 100 350 10, 20, 50 450 10, 20, 50 К50-6 6 50, 100, 200, 500 10 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000, 4000 15 1, 5, 10, 20, 30, 50, 100, 200, 500, 2000, 4000 25 1, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 2000, 4000 50 1, 2, 5, 10, 20, 50, 100, 200, 500, 1000, 2000 100 1, 2, 5, 10, 20 160 1, 2, 5, 10 К50-7 160 20, 50, 100, 200, 500 250 10, 20, 50, 100, 200 300 5, 10, 20, 50, 100, 200 350 5, 10, 20, 50, 100 400 5, 10, 50, 100 450 5, 10, 20, 50
Приложение 6. Конденсаторы переменные массового производства ТИП конденсатора Cmun/Cmax пФ Конденсаторы керамические (подстроечные) КПК-1 КПК-2 КПК-7
2/7, 4/15, 6/25, 8/30, 6/60 6/60, 10/100, 25/150, 75/200, 125/250 1/10, 2/15, 2/20, 2/25 Конденсаторы с воздушным диэлектриком КПЕ 10/365 КПЕ-1 12/495 КПЕ-2 9/260 КПЕ-3 10/430
Приложение 7. Перечень государственных стандартов ЕСКД и действующих СТ СЭВ ЕСКД на 1.01.80 г. ГОСТ 2.101-68 ЕСКД Основные положения. ГОСТ 2.104-68 ЕСКД Основные надписи. ГОСТ 2.105-68 ЕСКД Общие требования к текстовым документам. ГОСТ 2.108-68 ЕСКД Спецификация. ГОСТ 2.109-73 ЕСКД Основные требования к чертежам. ГОСТ 2.316-68 ЕСКД Правила нанесения на чертежах надписей технических требований и таблиц. ГОСТ 2.417-78 ЕСКД Правила выполнения чертежей печатных плат. ГОСТ 2.414-73 ЕСКД Правила выполнения чертежей, жгутов, кабелей и проводов. ГОСТ 2.701-76 ЕСКД Схемы. Виды и типы. Общие требования к выполнению. ГОСТ 2.702-75 ЕСКД Правила выполнения электрических схем.
Приложение 8. Классификация транзисторов. Классификация транзисторов отражена в их условном обозначении и содержит определенную информацию об их свойствах. В зависимости от назначения и используемого при изготовлении транзистора полупроводникового материала в его обозначении указывается соответствующая буква или цифра – первый элемент. Второй элемент обозначения (буква Т или П) определяет принадлежность транзистора соответственно к биполярным или полевым приборам. Третий элемент обозначения определяет назначение транзистора с точки зрения частотных и мощностных свойств. Четвертый и пятый элемент обозначения указывают на порядковый номер разработки данного типа транзистора и обозначаются цифрами от 01 до 99. Шестой элемент обозначения (буквы от А до Я) показывает разделение транзисторов данного типа на группы (подтипы) по классификационным параметрам.
1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В, ГТ313А, ГТ313Б, ГТ313В. Транзисторы германиевые диффузионно – сплавные p – n – p универсальные. Электрические параметры •
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкэ=3в, Iэ=15мА, Т=298К: 1Т313А 1Т313Б 1Т313В
10 – 230 10 – 75 30 – 230
• Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при Iк=15мА, Iб=1,5А: • Напряжение насыщения база – эмиттер при Iк=15мА, Iб=1,5А: • Емкость коллекторного перехода Uкб=5В: 1Т313А – 1Т313В
0,7В 0,6В 2,5пФ
Предельные эксплуатационные данные • •
• •
Постоянное напряжение коллектор – база: 1Т313А – 1Т313В 12В ГТ313А – ГТ313В 15В Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при Rб/Rэ<10 для 1Т313А, 1Т313Б, 1Т313В: при Т≤318К 12В при Т=343К 7В Постоянное напряжение эмиттер – база 0,7В Постоянный ток коллектора 1Т313А – 1Т313В 50мА Зависимость коэффициента передачи тока от температуры h21э 120 100
Uкэ=-5В, Iэ=5мА
Зона возможных положений зависимости модуля коэффициента передачи тока от Iэ |h21э| Uкэ=-5В, f=100МГц 6 5
Выходные характеристики ГТ313А Iк Iб,мА мА 50 3,7мА 40 2,4мА
1Т313В 80 60 40
1Т313А 1Т313Б
20 213 233 253 273 293 313 Т,К
4
30
2мА
3 2 1Т313А-1Т313В
20 10
1мА 0,5мА
1 0
8
16 24 32 40 Iэ,мА
0
2 4
6
8 10 12Uкэ,В
КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315Г, КТ315Д, КТ315Е, КТ315Ж, КТ315И Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные высокочастотные маломощные.
n – p – n
усилительные
Электрические параметры •
•
Граничное напряжение при Iэ=5мА не менее: КТ315А, КТ315Б, КТ315Ж 15В КТ315В, КТ315Д, КТ315И 30В КТ315Г, КТ315Е 25В Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при Iк=20мА, Iб=2мА, не более: КТ315А, КТ315Б, КТ315В, КТ315В, КТ315Г 0,4В КТ315Д, КТ315Е 1В КТ315Ж 0,5В Предельные эксплуатационные данные
•
•
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при Rбэ=10кОм КТ315А КТ315Б КТ315В, КТ315Д КТ315Г, КТ315Е КТ315Ж КТ315И Постоянное напряжение база – эмиттер Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера
120
Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от тока коллектора Uкэ КТ315 Iб=0,1Iк 0,2
100 Uкб=10В 80
0,1
h21э
КТ315Б,КТ315Г,КТ315Е
60
25В 20В 40В 35В 15В 60В 6В Выходные характеристики КТ315А Iк (КТ361А) Iб,мА мА 100 80
6,8мА
60 40
5мА 3,4мА 2мА
0,05
20
КТ315А,КТ315В,КТ315Д 40 0
20 40 60 80 Iэ,мА
0
20 40 60
Iк,мА
0 0
3 6
9
12 15 18Uкэ,В
2Т317А –1, 2Т317Б – 1, 2Т317В – 1, КТ317А – 1, КТ317Б – 1, КТ317В – 1 Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные высокочастотные маломощные. •
•
•
n – p – n
универсальные
Электрические параметры Напряжение насыщения коллектор – эмиттер при Iк=10мА, Iб=1,7мА: 2Т317А –1, КТ317А – 1 0,3В при Iб=1мА: 2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 0,3В Напряжение насыщения база – эмиттер при Iк=10мА, Iб=1мА: 2Т317А –1, КТ317А – 1 0,85В при Iб=0,6мА: 2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 0,85В Статический коэффициент передачи в схеме с общим эмиттером при Uкэ=1В, Iэ=1мА при Т=298К: 2Т317А – 1, КТ317А – 1 25 – 75 2Т317Б – 1, КТ317Б – 1 35 – 120 2Т317В – 1, КТ317В – 1 80 – 250 Предельные эксплуатационные данные
• • • • •
Постоянные напряжения коллектор–база, коллектор–эмиттер при Rбэ=3кОм 5В Постоянное напряжение эмиттер–база 3,5В Постоянный ток коллектора 15мА Импульсный ток коллектора при τu≤10мкс, Q≥10, τср≤100пс 45мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213 – 313К 15мВт
Iк,мА
Uкэ=1В 250 2Т317В-1,КТ317В-1 200
0,10 Iб=0,4мА 0,08
16
150 100
0,06 0,04
12 8
2Т317Б-1,КТ317В-1
50
0,02 2Т317А-1,КТ317А-1
0
Iб=0,7мА Iк=10мА
2Т317,КТ317 0 213 253 293 333 373 Т,К
Выходные характеристики КТ317А Iб,мА
2,5мА 1,4мА 0,8мА 0,2мА
4 0
1
2
3
4
5 Uкэ, В
ГТ322А, ГТ322Б, ГТ322В Транзисторы германиевые диффузионно – сплавные p – n – p нормированным коэффициентом шума высокочастотные маломощные.
усилительные
с
Электрические параметры. •
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общем эмиттером при Uкэ=5В, Iк=1мА: ГТ322А 30 – 100 ГТ322Б 50 – 120 ГТ322В 20 – 120 • Модуль коэффициента передачи тока при f=20МГц, Uкб=5В, Iэ=1мА: ГТ322А, ГТ322Б 4 ГТ322В 2,5 • Входное сопротивление в схеме с общей базой при Uкэ=5В, Iэ=1мА, f=50 – 1000Гц не более 34Ом Предельные эксплуатационные данные •
• • •
Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при Т=233 и Т=328К, Rбэ≤10кОм: ГТ322А, ГТ322В 10В ГТ322Б 6В при Т=293К, Rбэ=10кОм 15В Постоянное напряжение коллектор – база 25В Постоянный ток коллектора 10мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора 50мВт Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора
h21э
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока коллектора h21э
Выходные характеристики ГТ322А Iк мА
Iб,мА 0,8мА 10
110
50 Uкб=5В ГТ322Б
100 90 80 70 0
8 ГТ322А ГТ322Б Uкб=5В
40 30 20
2 4
6
8 Iк,мА
10 0
0,6мА 0,45мА
6 4
0,27мА 0,1мА
2 0 2
4
6 8 Iк,мА
0
2
4
6
8 10 Uкэ,В
ГТ328А, ГТ328Б, ГТ328В Транзисторы германиевые эпитаксиально – планарные p – n – p СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 180МГц. Электрические параметры • •
Граничная частота при Uкб=10В, Iэ=2мА: ГТ328А 400МГц ГТ328Б, ГТ328В 300МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iэ=3мА, Т=293К: ГТ328А 20 – 200 ГТ328Б 40 – 200 ГТ328В 10 – 50 при Т=233К: ГТ328А 5 – 200 ГТ328Б 10 – 200 ГТ328В 3 – 50 Предельные эксплуатационные данные
• • • •
Постоянное напряжение коллектор – база Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при Rэб≤5кОм Постоянное напряжение эмиттер – база Постоянный ток коллектора
Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база h21э h’21э ГТ328А-ГТ328В 1,2 1,1 1,0 0,9
Зависимость относительного статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера h21э Iк,мА h’21э ГТ328А-ГТ328В 1,2 10 1,1 8 1,0 0,9
Iэ=3мА
0,8
Выходные характеристики ГТ328А Iб,мА 4мА 3мА
6 4 Uкб=5В
0,8
0,7
15В 15В 0,25В 10мА
2мА 1,5мА 1мА
2
0,7 2 4
6
8
10 Uкб,В
0
2
4
6 8 10 Iэ,мА
0
3 6
9 12 15 Uкэ,В
КТ339А Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n – p – n высокочастотные маломощные.
усилительные
Электрические параметры • • • • •
Коэффициент усиления по мощности при Uкэ=1,6В, Iк=7,2мА, f=35МГц, не менее 24дБ Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В 25 Модуль коэффициента передачи тока на f=100МГц при Uкб=10В, Iэ=5мА, не менее 3 Постоянная времени цепи обратной связи на f=5МГц при Uкб=10В, Iэ=7мА не более 25нс Емкость коллекторного перехода при Uкб=5В не более 2пФ Предельные эксплуатационные данные
• • • • • • •
Постоянное напряжение коллектор – база 40В Постоянное напряжение коллектор – эмиттер 25В Постоянное напряжение эмиттер – база 4В Постоянный ток коллектора 25мА Постоянная рассеиваемая мощность коллектора при Т=213 – 323К 260мВт Температура перехода 448К Температура окружающей среды 213 – 433К Зависимость максимально допустимой мощности рассеивания коллектора от температуры Ркmax, мВт КТ339А
Выходные характеристики КТ339А Iк,мА
250
20 16
200 150
12 8
100
4
Iб,мА 5мА 4мА 3мА
50 273 313 353 393 433
Т,К
1,8мА 1мА
0
4
8
12 16 20 24 Uкэ,В
КТ361А, КТ361Б, КТ361В, КТ361Г, КТ361Д, КТ361Е Транзисторы кремниевые высокочастотные.
эпитаксиально – планарные
p – n – p
усилительные
Электрические параметры •
• •
Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=10В, Iэ=1мА, при Т=213К: КТ361А, КТ361Д 10 – 90 КТ361Б, КТ361Г, КТ361Е 15 – 350 КТ361В 10 – 160 Модуль коэффициента передачи тока на f=100МГц при Uкэ=10В, Iэ=5мА: 2,5 Обратный ток коллектора при Uкб=10В не более: при Т=298К и Т=213К 1мкА Предельные эксплуатационные данные
•
Постоянные напряжения коллектор – база, коллектор – эмиттер при Rбэ=10кОм и Т=213 – 308К: КТ361А 25В КТ361Б 20В КТ361В, КТ361Д 40В КТ361Г, КТ361Е 35В • Постоянное напряжение база – эмиттер 4В • Постоянный ток коллектора 50мА Выходные характеристики КТ361А (КТ315А) Iк,мА
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера h21э
100 80
140 120
60 40
100 80
20
60
0 3
6
9
12 15 18 Uкэ,В
40 0
КТ361Б,КТ361Г,КТ361Е
Зависимость граничной частоты от тока эмиттера fгр МГц 800
Uкб=10В КТ361А,КТ361В,КТ361Д
600 400 200
КТ361АКТ361Е Uкб=10В
0 20 40 60 80 Iэ,мА
5 10 15 20
Iэ,мА
2Т363А, 2Т363Б, КТ363А, КТ363АМ, КТ363Б, КТ363БМ Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные p – n – p СВЧ универсальные маломощные. Электрические параметры •
Граничная частота коэффициента передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iэ=5мА, не менее: 2Т363А, КТ363А, КТ363АМ 1,0ГГц 2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ 1,5ГГц • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iэ=5мА, при Т=233К: КТ363А, КТ363АМ 0,3 – 85 КТ363Б, КТ363БМ 0,3 – 150 Предельные эксплуатационные данные • •
Постоянное напряжение коллектор – база Постоянное напряжение коллектор – эмиттер при Rэб≤1кОм 2Т363А, КТ363А, КТ363АМ 2Т363Б, КТ363Б, КТ363БМ • Постоянное напряжение эмиттер – база • Постоянный ток коллектора • Импульсная рассеиваемая мощность Зависимость статического коэффициента передачи тока от напряжения коллектор-база Iб,мА h21э 2Т363А,2Т363Б 80 КТ363А,КТ363Б 70 КТ363АМ,КТ363БМ 60 50 Iэ=А 40 Т=298К 30 0 2 4 6 8 10 Uкб,В
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера h21э 60 50
2Т363А,2Т363Б, КТ363А,КТ363Б
40 30 КТ363АМ КТ363БМ Uкб=5В 20 Т=298К 10 0 20 40 60 80 100 Iэ,мА
15В 15В 12В 4В 30мА 1,5Ркmax Выходные характеристики КТ363А Iк,мА 30
2,5мА
25 20
2мА 1,2мА
15 10
1мА 0,4мА
5 0
3
6 9 12 15 18 Uкэ,В
2Т368А, 2Т368Б, КТ368А, КТ368Б Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n – p – n усилительные с ненормированным (2Т368Б, КТ368Б) и нормированным (2Т368А, КТ368А) коэффициентом шума на 60МГц. Электрические параметры • •
• •
Граничная частота при Uкб=5В, Iэ=10мА не менее 900МГц Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=1В, Iк=10мА, при Т=298К: 50 – 300 при Т=213К 2Т368А, 2Т368Б 25 – 300 при Т=398К 2Т368А, 2Т368Б 40 – 500 15В Граничное напряжение при Iэ=10мА не менее Входное сопротивление в схеме с общей базой в режиме малого сигнала при Uкб=5В, Iэ=10мА, f=1кГц 6Ом Предельные эксплуатационные данные
• • • • •
Постоянное напряжение коллектор – база Постоянное напряжение коллектор – эмиттер Постоянное напряжение эмиттер – база Постоянный ток коллектора Постоянный ток эмиттера
15В 15В 4В 30мА 30мА
Зависимость относительного статиЗависимость относительного статиВыходные характеристики ческого коэффициента передачи ческого коэффициента передачи КТ368А тока от Iк тока от напряжения коллектор-база Iк,мА Iб,мА h21э h21э 30 2,5мА h’21э 2Т368А h’21э 1 1,4 2Т368Б 25 1,8мА 0,9 1,3 КТ368А 20 КТ368Б 1,5мА 0,8 1,2 15 0,7 1,1 10 1мА Iк=10мА 0,6 1,0 5 0,4мА 0,5
0,9 0
10 20 30 40 50 Iк,мА
0 2,5 5 7,5 10 12,5 Uкб,В
0
3
6
9 12
15 Uкэ,В
КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Г, КТ3102Д, КТ3102Е Транзисторы кремниевые эпитаксиально – планарные n – p – n усилительные высокочастотные маломощные с нормированным коэффициентом шума на частоте f=1кГц. Электрические параметры •
Модуль коэффициента передачи тока при Uкб=5В, Iэ=10мА, f=100МГц не менее: КТ3102А - КТ3102В, КТ3102Д 1,5 КТ3102Г, КТ3102Е 3,0 • Статический коэффициент передачи тока в схеме с общим эмиттером при Uкб=5В, Iк=2мА, при Т=233К: КТ3102А 25 – 250 КТ3102Б, КТ3102В, КТ3102Д 50 – 500 КТ3102Г, КТ3102Е 100 – 1000 Предельные эксплуатационные данные •
Напряжение коллектор – эмиттер, коллектор – база (любой формы): КТ3102А, КТ3102Б, КТ3102Е КТ3102В, КТ3102Д КТ3102Г • Напряжение эмиттер – база (любой формы) • Постоянный ток коллектора • Постоянная рассеиваемая мощность Зависимость напряжения насыщения коллектор-эмиттер от коэффициента насыщения Uкэ,нас В 0,5 0,4
КТ3102АКТ3102Е Iк=10мА
0,3 0,2 0,1
Зависимость статического коэффициента передачи тока от тока эмиттера h21э
КТ3102Г, Uкб=5В 1000 КТ3102Е КТ3102Б, 800 КТ3102В, КТ3102Д 600 400 200
50В 30В 20В 5,0В 100мА 250мВт
Выходные характеристики КТ3102А (КТ3107А) Iб 8,7мА 7,3мА
Iк,мА 100 80
5мА 60 40
2,7мА
20
1мА
КТ3102А 0 0
1 2
3
4 5 Кнас
0
10 20 30 40
Iэ,мА
0
10 20 30 40 50 Uкэ,В
Параметры полевых транзисторов Тип транзистора
G22u, мСм
S, мА/В
С11u, ПФ
С22u, пФ
С12u, пФ
Iзио, мкА
КП301А КП302А КП303 КП350А
0,15 0,25
1 5 0,5-4,5 ≥6
3,5 ≤20 4,5-7 6
3,5 ≤10 6
0,7 ≤8 1,3-3 0,07
0,5 1 -
Режим измерения Uс11,В 15 10 10
Iснач,мА 5 3 10
f, МГЦ 10 10 10
Параметры биполярных транзисторов ВЧ и СВЧ при t=200С. Транзист оры
fгр, МГЦ
h21э
ГТ308Б ГТ310Д ГТ311И КТ312Б КТ319В КТ324Д ГТ330Д КТ331Г КТ332Г КТ336Е КТ343Б ГТ341А ГТ346
120 80 450 120 75 600 1600 300 400 450 300 2000 800
50-120 20-70 100-300 25-100 40 20-80 20-300 40-120 40-120 20-120 20-80 15-100 10
rбСк 400 500 75 400 180 30 120 300 0,2
Ск, пФ
Iкэ, мкА
8 5 2,5 5 2,5 2 5 5 5 6 1 0,4
2 5 0,5 10 10 0,5 5 0,2 0,2 1 -
Режим измерения Uкэ, В 5 5 5 10 5 2 10 -
Iк,мА 5 5 5 5 3 5 5 -
f, МГц 5 5 5 5 10 10 0,25 0,25
Pкmax, мВт 150 225 15 15 50 150 30 50